型号:

MMBT3904T

品牌:GOODWORK(固得沃克)
封装:SOT-523
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
MMBT3904T 产品实物图片
MMBT3904T 一小时发货
描述:-
库存数量
库存:
3561
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0382
3000+
0.0303
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE)300@50mA,1V
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@50mA,5mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
射基极击穿电压(Vebo)6V

MMBT3904T 产品概述

一、产品简介

MMBT3904T 是 GOODWORK(固得沃克)推出的一款小信号 NPN 晶体管,采用超小型 SOT-523 封装,面向便携式和高密度电路板的通用开关与放大应用。器件在室温及高低温环境下均具有稳定的放大性能和低漏电特性,适合要求体积小、功耗低的设计场景。

二、主要特性

  • 晶体管类型:NPN(硅材质)
  • 静态直流电流增益 hFE:300(测试条件 50 mA、VCE≈1 V)
  • 特征频率 fT:300 MHz,适合宽带小信号放大与高速切换
  • 最大集电极电流 Ic:200 mA(短时或受限负载条件)
  • 集电极-射极击穿电压 VCEO:40 V
  • 射基极击穿电压 VEBO:6 V
  • 集电极截止电流 ICBO:50 nA(典型低漏电,利于低功耗电路)
  • 集电极耗散功率 Pd:150 mW(须注意散热)
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):约 300 mV(在 50 mA 和 5 mA 条件下测定)
  • 工作结温范围:-55 ℃ 至 +150 ℃(Tj)

三、电气与性能亮点

  • 高 hFE(在中等电流点)提供良好的电流放大能力,可简化前级偏置与驱动设计。
  • fT 达 300 MHz,使器件在中低频射频及高速数字信号切换场合表现良好。
  • 低 ICBO 与较低的 VCE(sat) 有利于降低静态功耗和开关损耗,适合电池供电与低压系统。

四、典型应用

  • 小信号放大器(前置放大、差分对、射频前端的低噪声级)
  • 通用开关与驱动(逻辑电平驱动、LED 驱动、继电器/小负载切换)
  • 抗干扰设计中的缓冲与电平转换
  • 高密度 PCB、便携式消费类电子、物联网模块、传感器前端

五、封装与热管理

  • 封装:SOT-523(超小型表面贴装),适合高密度贴装与自动化贴片生产。
  • 由于封装体积小且 Pd 仅 150 mW,设计时需注意 PCB 铜箔面积、过孔与散热走线,以保证结温在安全范围内;建议在实际布局中提供适当的散热铜箔并避免长期高电流工作。
  • 推荐遵守器件的回流焊工艺规范,避免过热循环对可靠性的影响;装配时注意静电防护。

六、选型与使用建议

  • 若电路常在 50 mA 左右工作且需要较高增益,MMBT3904T 是合适选择;若需承载长期 100–200 mA 连续电流,应评估结温与功耗限制。
  • 在设计开关电路时通过基极串联限流电阻控制基极电流,以防止饱和时间过长和过热。
  • 对于要求更高功率耗散或更低饱和压的场合,可考虑封装和规格更高的同类器件。
  • 作为 2N3904 系列的小封装等效替代,适用于体积受限且对性能有一定要求的通用场合。

如需器件完整的电气表、封装尺寸图或典型应用电路图,可进一步提供需求,便于给出更详细的设计建议与仿真参考。