型号:

SS8050

品牌:GOODWORK(固得沃克)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SS8050 产品实物图片
SS8050 一小时发货
描述:三极管(BJT) 300mW 25V 1.5A NPN
库存数量
库存:
5714
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0312
3000+
0.0247
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1.5A
集射极击穿电压(Vceo)25V
耗散功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE)400@100mA,1V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV@800mA,80mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
射基极击穿电压(Vebo)5V

SS8050 产品概述

一、产品简介

SS8050 为 GOODWORK(固得沃克) 出品的一款小功率 NPN 双极型晶体管,采用 SOT-23 小封装,适合空间受限的便携式和消费类电子产品。该器件在低压、中等电流工作点下具备较高的直流电流增益和良好的高频特性,既可用于信号放大,也常用于低功率开关场合。

二、主要规格

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流 Ic:1.5 A(极限值)
  • 集射极击穿电压 Vceo:25 V
  • 耗散功率 Pd:300 mW(SOT-23,需依据实际pcb散热条件降额使用)
  • 直流电流增益 hFE:400 @ Ic=100 mA, Vce=1 V(高增益)
  • 特征频率 fT:100 MHz(适合中高频放大)
  • 集电极截止电流 Icbo:100 nA(低漏电)
  • 集电极饱和电压 VCE(sat):≈500 mV @ Ic=800 mA, Ib=80 mA(开关导通压降参考)
  • 工作结温范围:-55 ℃ ~ +150 ℃(Tj)
  • 射基极击穿电压 Vebo:5 V(需注意基极正向承受限制)
  • 封装:SOT-23

三、性能特点

  • 高直流电流增益:在100 mA工作点时 hFE 可达400,适合做小信号放大器或做低驱动电流的电流放大。
  • 较好的高频响应:fT 约 100 MHz,可用于音频至射频前端的若干放大级(需按增益带宽积设计)。
  • 低漏电流与稳定性:Icbo 仅100 nA,利于低频低功耗电路保持较低静态泄漏。
  • 小体积封装:SOT-23 便于贴片制造和高密度 PCB 布局,但散热能力受限,应注意热设计。

四、典型应用

  • 小信号放大器(音频前级、传感器信号放大)
  • 低压开关(控制小电流负载、驱动继电器/LED 等)
  • 通讯与射频前端的放大级(在合理带宽和增益范围内)
  • 电路保护与接口电平转换

五、封装与引脚

产品为 SOT-23 小三端封装,适合自动化贴装。不同厂家封装引脚定义可能有差异,请务必以 GOODWORK 提供的封装图与数据手册为准以确定 B、C、E 的具体引脚排列和焊盘尺寸。

六、使用与可靠性建议

  • 散热与降额:SOT-23 的 Pd 标称为 300 mW,实际功耗应根据 PCB 铜面积与环境温度进行降额计算,必要时增加散热铜箔或使用热过孔改善散热。
  • 基极限流:因 Vebo 仅 5 V,应在驱动端加入限流/限压措施,避免基极-射极反向过压损坏。
  • 饱和区驱动:若用于开关导通,注意 VCE(sat) 在大电流时可高达约 500 mV,需要评估功耗与发热。
  • 静电与焊接:遵守常规静电防护措施,焊接温度与时间遵循制造商回流焊建议以保证可靠性。
  • 选型注意:在需要更高功率或更低 VCE(sat) 的场合,可考虑更大封装或低饱和电压的替代型号。

如需电气特性曲线、典型应用电路或封装图,请提供具体用途或索取 GOODWORK 的完整数据手册以便详细设计验证。