SMUN5115T1G 产品概述

一、产品简介

SMUN5115T1G 是 ON（安森美）推出的一款小信号 PNP 双极晶体管，采用 SC-70-3（SOT-323）小封装，适合便携式与空间受限的电子产品中做信号放大与开关控制。器件针对低电流、低功耗场合优化，具有良好的直流电流增益与稳定的电气特性，便于在小电流偏置下获得较高增益。

二、主要参数

• 极性：PNP 双极晶体管
• 集射极击穿电压 Vceo：50 V
• 集电极电流 Ic（最大）：100 mA
• 耗散功率 Pd（Ta）：0.202 W（202 mW）
• 直流电流增益 hFE：160（在 Ic = 5 mA、Vce = 10 V 条件下）
• 封装：SC-70-3（SOT-323），单个/带卷装供货

三、关键特性与优势

• 小封装、节省空间：SC-70-3 适用于高密度 PCB 布局与便携设备。
• 低功耗与小信号优化：Pd 约 202 mW、Ic ≤ 100 mA，适合前级放大、偏置及信号切换。
• 高增益：在轻载电流（5 mA）条件下 hFE 可达 160，有利于降低基极驱动电流需求。
• 稳定的击穿电压：50 V 的 Vceo 为较大电压余量的低功耗设计提供保护。

四、典型应用场景

• 小信号放大：音频前级、传感器信号放大、电平转换。
• 低电流开关：微控制器驱动的小负载切换、逻辑电平翻转器。
• 功耗敏感设备：便携电子、手持仪表和节能模块中作为低偏流放大或密封板空间受限的开关元件。

五、使用与电路设计建议

• 电流与功耗限制：确保集电极电流不超过 100 mA，且在设计中考虑器件 Pd（202 mW）与实际环境温度的降额。
• 偏置与工作点：利用 hFE=160（Ic=5mA）作为估算参考，实际电路应在目标工作电流点测得 hFE 并适当预留裕量。
• 开关速度：作为小信号晶体管，在频率响应与开关速度上满足一般控制与放大需求，若需高速开关请参考厂商完整频率特性曲线。
• 保护措施：在可能的瞬态高压或反向电压场合加入限流或吸收元件，避免超过 Vceo 和最大反向基极-发射极电压。

六、封装与布局注意事项

• 热管理：SC-70-3 为小型塑封封装，散热能力有限。建议在 PCB 上使用足够的铜箔面积、通过热过孔与附近地平面来提升散热。
• 焊接与可靠性：遵循安森美推荐的回流焊曲线与焊盘布局，避免过热造成器件应力。引脚排列与焊盘尺寸应以官方封装图为准。

七、采购与替代建议

购买时请以安森美官方数据手册为准，确认订购码与封装形式。若需替代器件，可选择在 Vceo、Ic、Pd 与封装相近的 PNP 小信号晶体管，替换前务必验证 hFE、极限电压与热特性是否满足目标电路要求。

如需我帮您根据电路工作点（电流、电压、环境温度）计算偏置元件、估算功耗及 PCB 散热方案，可提供具体参数，我将给出更细化的设计建议。