BC848CPDW1T1G 产品概述

一、产品简介

BC848CPDW1T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款小信号互补三极管组合，内含 NPN 与 PNP 两只晶体管，采用微小封装 SOT-363（节省占板面积）。该器件针对便携与高密度电路设计，提供低电流工作时的高直流增益与较高的特征频率，适合放大、开关和推挽驱动等常见应用。

二、主要性能参数

• 晶体管类型：NPN + PNP（互补对）
• 最大集电极电流 Ic：100 mA
• 集-射极击穿电压 Vceo：30 V
• 最大耗散功率 Pd：380 mW（封装限制）
• 直流电流增益 hFE：270（在 Ib/Ic 条件标注为 10 μA, 5.0 V）
• 特征频率 fT：100 MHz
• 集电极漏电流 Icbo：5 μA
• 集-射极饱和电压 VCE(sat)：600 mV
• 射-基极击穿电压 Vebo：6 V
• 工作温度范围：-55 ℃ 至 +150 ℃

（以上参数为器件典型/最大值，设计时应参考完整数据手册和具体测试条件。）

三、封装与热管理

SOT-363 小型封装适合高密度贴片电路，但散热能力受限。标称耗散功率 380 mW 为封装和环境条件下的最大值，实际布局时应注意走铜层面积、热过孔与相邻元件间距以降低结温。长时间接近额定 Pd 使用会影响器件寿命与稳定性。

四、典型应用场景

• 小信号放大与前级放大器（音频、传感器接口）
• 低电流开关与电平移位电路
• 互补推挽驱动（驱动小功率继电器、指示灯等）
• 便携式与移动设备中的信号处理与缓冲

五、使用注意事项与可靠性

设计时应关注 Ic、Vceo 与 Vebo 限值，避免在高电压或反向基极条件下产生击穿。集电极截止电流 Icbo 在高温会上升，长期高温工作会增加泄漏与漂移。焊接推荐遵循厂家回流曲线，避免多次重复加热；存储与装配时注意防静电（ESD）保护。

六、选型建议

当电流需求接近或超过 100 mA、或需要更低饱和压、更高功耗时，应选用更大功率封装或专用驱动器件。若电路对低电流增益要求高、频率要求更好，本器件在小信号场合具有成本与空间优势；在关键设计中，请以完整数据手册为准并进行样片验证。