型号:

BC847AWT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SC-70-3
批次:-
包装:编带
重量:0.303g
其他:
-
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BC847AWT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) BC847AWT1G SOT-323-3
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产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)45V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)110 @ 2mA,5V
功率 - 最大值150mW
频率 - 跃迁100MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SC-70-3

BC847AWT1G 产品概述

产品名称: BC847AWT1G
类型: NPN 晶体管
厂商: ON Semiconductor (安森美)
封装: SC-70-3 (SOT-323)

一、基本概述

BC847AWT1G是一款高性能的NPN三极管,设计用于中低功率信号放大和开关应用。凭借其灵活的性能特点和多种应用能力,该设备适用于消费电子、通讯、仪器仪表等行业中广泛的电子设计需求。其高增益、低功耗和宽工作温度范围使其在各种环境和条件下都能稳定运行。

二、主要规格

  1. 电流能力

    • 集电极电流(Ic)最大值: 100mA
    • 集电极截止电流(ICBO)最大值: 15nA
  2. 电压特性

    • 集射极击穿电压(V(BR)CES): 45V
  3. 饱和电压压降

    • Vce饱和压降最大值: 600mV @ 5mA,100mA
  4. 电流增益

    • 直流电流增益(hFE): 110 @ 2mA,5V(最小值)
  5. 功率能力

    • 最大功率: 150mW
  6. 频率响应

    • 跃迁频率(fT): 100MHz
  7. 工作温度

    • 环境温度范围: -55°C ~ 150°C(TJ)
  8. 安装类型

    • 表面贴装型
  9. 封装类型

    • 封装: SC-70,SOT-323
    • 供应商器件封装: SC-70-3

三、应用场景

BC847AWT1G由于其优异的性能,能够适应多种应用场景,具体如下:

  1. 信号放大器

    • 在音频、视频以及各种传感器信号的放大中,可以作为小信号放大器,用于提高信号强度,提升系统的整体性能。
  2. 开关电路

    • 可以应用于开关电路当中,通过控制基极电流来实现对集电极电流的调节,进而开关负载。
  3. 频率特性

    • 由于其高达100MHz的频率响应,BC847AWT1G适合高频应用,如无线通讯和射频信号处理等。
  4. 高温应用

    • 其广泛的工作温度范围使得BC847AWT1G可以在极端环境下稳定工作,适合航空航天、汽车电子等领域。

四、总结

BC847AWT1G作为一款NPN晶体管,结合了高效能与良好的实用性,具备满足现代电子设计需求的多种特性。无论是用于简单的开关控制,还是高要求的信号放大,此款晶体管均能提供出色的性能表现。其小型表面贴装封装(SC-70-3)同时也为电路设计提供了更为灵活的布局选择。此外,安森美的品牌信誉和高标准制造质量确保了该元器件在各类电子设备应用中的可靠性与稳定性。

综上所述,BC847AWT1G是一款值得推荐的电子元件,适合希望在其设计中集成高性能与高功效的工程师与设计师使用。