AT45DB321E-SHF-T 产品概述

一、产品简介

AT45DB321E-SHF-T 是一款高性能的 SPI 闪存存储器，容量 32Mbit（4MB），由 RENESAS（瑞萨）提供。器件支持高达 85MHz 的 SPI 时钟频率，工作电压范围宽（2.3V～3.6V），兼顾低功耗与高速传输，适合对容量、速度和可靠性均有要求的嵌入式系统存储应用。

二、主要参数

• 存储容量：32Mbit（4MBytes）
• 接口类型：SPI（标准四线 SPI，总线信号典型为 CS、SCLK、MOSI、MISO）
• 最大时钟频率 (fc)：85MHz
• 工作电压：2.3V ～ 3.6V
• 待机电流：25μA（典型，待机模式下）
• 页写入时间 Tpp：4ms（页写入典型时间）
• 擦写寿命：100,000 次（典型）
• 数据保留（TDR）：20 年
• 封装：SOIC-8-208mil
• 品牌：RENESAS（瑞萨）

三、性能与可靠性

该器件在高速 SPI 总线上能提供稳定的数据读写性能，85MHz 的最高时钟支持在带宽受限的系统中实现更短的传输延迟。器件的擦写寿命高达 100k 次，适合需要频繁更新但又有可靠性要求的应用场景；典型数据保持时间为 20 年，可用于长期配置和固件存储。待机模式下 25μA 的低电流有利于电池供电或低功耗系统的能耗控制。

四、接口与封装

AT45DB321E-SHF-T 采用标准 8 引脚 SOIC-8（208 mil）封装，易于 PCB 布局和批量生产。器件通过标准 SPI 接口进行访问，主控 MCU 通过片选（CS）和时钟（SCLK）控制读写时序，数据通过 MOSI/MISO 线传输，兼容主流 SPI 驱动逻辑。封装紧凑，便于在空间受限的应用中集成。

五、典型应用

• 嵌入式系统固件与启动代码存储
• 配置参数与校准数据保存
• 数据记录与日志缓冲
• 工业控制、消费电子、物联网节点等需要非易失性存储的场景

六、设计注意事项

• 电源旁路：建议在 VCC 引脚附近放置 0.1μF 陶瓷去耦电容，并与地良好连接，以抑制电源噪声和瞬态电流。
• 时序与片选：在多从设备的 SPI 总线上确保 CS 信号互斥，避免总线冲突；写操作期间需按器件规定监测状态位或等待页写完成（Tpp 约 4ms）。
• 耐久与擦写次数：针对有限的擦写寿命（100k 次），在频繁写入场景下应采用写均衡、日志轮替或外部缓存机制以延长使用寿命。
• 工作电压兼容性：若与低电压 MCU 连接，确认电平兼容或采用必要的电平移位方案（器件 VCC 范围 2.3V–3.6V）。

AT45DB321E-SHF-T 将高速 SPI 性能与长期数据保持、较高擦写耐久度相结合，是对容量、速度和可靠性有明确需求的设计的稳妥选择。若需更详细的时序图、指令集或电气特性表，请参考制造商详细数据手册。