NSI1200-DDBR 产品概述

一、产品简介

NSI1200-DDBR 是纳芯微（NOVOSENSE）推出的一款高性能隔离式放大器 IC，采用全差分拓扑并集成隔离式 ΔΣ（Sigma-Delta）调制器，面向工业级电流/电压测量与隔离采样应用。器件以 SMD 封装提供，具备高耐压隔离能力与强抗共模瞬变性能，同时内置故障检测功能，适合对安全与可靠性有较高要求的系统。

二、主要性能指标

• 差分输入电压范围：±250 mV
• 增益：8（统一增益设置）
• 带宽（-3 dB）：100 kHz
• 输入失调电压 (Vos)：10 μV
• 输入偏置电流 (Ib)：18 μA
• 输出类型：差分输出
• 隔离电压 (Vrms)：5000 V
• CMTI（共模瞬变抗扰度）：150 kV/μs
• 功能特性：全差分拓扑、故障检测、隔离式 ΔΣ 调制器
• 工作温度范围：-40 ℃ 至 +125 ℃

三、关键功能与优势

• 全差分拓扑：提高共模抑制比（CMRR），减小系统对地电位差和噪声耦合的敏感性，适配差分传感器及电流分流器输出。
• 隔离式 ΔΣ 调制：利用 ΔΣ 噪声整形获得良好的线性度与低带内噪声，便于后段数字滤波与精密测量。
• 高隔离与强抗瞬变：5000 Vrms 的隔离等级配合 150 kV/μs 的 CMTI，可用于高压、电机驱动与变频器等存在大 dv/dt 的环境。
• 低失调、高精度：10 μV 的输入失调使得对小信号（如分流器电压）测量更精确，降低系统补偿开销。
• 故障检测：内置故障监测机制提升系统安全性与诊断能力。

四、典型应用场景

• 电机驱动与逆变器的隔离电流/电压检测
• 开关电源与功率因数校正（PFC）回路中的隔离采样
• 电池管理系统（BMS）与储能设备的高精度电流测量
• 工业自动化与隔离式数据采集模块（DAQ）
• 可再生能源逆变器与保护监测系统

五、使用建议与注意事项

• 输入幅度受限于 ±250 mV，适合直连分流器或经过前端放大器的信号；若连接高阻抗传感器，需注意 18 μA 的输入偏置电流对测量精度的影响。
• 带宽 100 kHz 适合绝大多数功率测量与控制应用，但在更高频率场合需评估相位延迟与调制器行为。
• 布局与隔离：保持隔离区域的爬电距离与杂散电容最小化，并为隔离侧与非隔离侧分别做好去耦与屏蔽。
• 热管理：工作温度覆盖工业级 -40~125 ℃，在高温条件下应关注器件长期漂移与系统散热。
• 故障检测输出需结合系统逻辑设计，明确故障响应策略与安全措施。

NSI1200-DDBR 以其高隔离等级、良好抗扰性与差分 ΔΣ 架构，为工业和电力电子应用中对精度与安全性有严格要求的隔离测量方案提供了可靠的选择。