FDD86110 产品概述

一、概述

FDD86110 是安森美（ON）推出的一款高压 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 100V，适用于高电压、高电流开关场合。器件采用 DPAK（TO-252）封装，兼顾功率处理能力与表面贴装工艺，适合工业电源、逆变器与电机驱动等应用。

二、主要参数

• 型号：FDD86110（N 沟道）
• 漏源耐压（Vdss）：100 V
• 连续漏极电流（Id）：50 A
• 导通电阻（RDS(on)）：10.2 mΩ @ Vgs = 10 V，Id = 12.5 A
• 阈值电压（Vgs(th)）：4 V
• 总栅极电荷（Qg）：35 nC @ Vgs = 10 V
• 输入电容（Ciss）：2.265 nF @ 50 V
• 反向传输电容（Crss）：30 pF @ 50 V
• 耗散功率（Pd）：127 W（请以厂方热阻/散热条件为准）
• 工作结温：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：DPAK (TO-252)
• 品牌：ON（安森美）

三、关键特性与优势

• 低导通电阻：10.2 mΩ（10V 驱动）在中高电流工况下降低导通损耗，适合高效功率开关。
• 适合高压应用：100V 耐压能处理较大回路电压，适用电源、逆变等领域。
• 栅极电荷适中：35 nC 的 Qg 在高频开关时对驱动功率有一定要求，但在常见驱动器下可实现平衡的开关速度与损耗。
• 封装优势：DPAK 便于表面贴装生产，并可通过合理的 PCB 散热设计实现较高的功率处理。

四、典型应用

• 开关电源（SMPS）、同步整流器
• DC-DC 降压转换器（低侧或同步开关）
• 电机驱动与逆变器（中小功率）
• 汽车电子（需满足温度和可靠性要求时注意器件额定）
• 工业电源、通信电源模块

五、设计与散热建议

• 栅极驱动：由于 Vgs(th) ≈ 4 V，建议采用 10–12 V 的栅极驱动电压以保证最低 RDS(on)。注意驱动器需能提供 Qg = 35 nC 的充放电电流以控制开关损耗与切换时间。
• 开关损耗管控：Ciss 较大（≈2.265 nF），Crss 适中，提升开关频率时需评估开关能耗和 EMI。必要时采用软开关或缓冲驱动以降低应力。
• PCB 散热：DPAK 的热阻依赖于焊盘与铜箔面积，推荐在 PCB 下方使用尽可能大的散热铜箔和通孔/散热层，并在热源处加装热沉或多层板内散热层以降低结温。
• 热限管理：额定耗散功率 127 W 需参考实际工况（环境温度、气流、PCB 散热等）进行降额设计，避免长期在高 Vds 与高 Id 同时工作以免超出 SOA。

六、封装与可靠性

DPAK（TO-252）封装适合自动贴装生产，焊点可靠。器件工作温度范围宽（-55~150 ℃），适合工业级应用。建议在高应力工况下进行热循环与功率循环验证，确保长期可靠性。

七、选型与注意事项

• 若要求更低 RDS(on) 或更高开关频率，可比较同类 100V 器件的 RDS(on)、Qg 与 Ciss 指标，综合考虑导通损耗与开关损耗。
• 驱动电压不足时器件会处于线性区，导致高损耗和发热，应避免在阈值附近长期工作。
• 设计时务必参照原厂完整数据手册的 SOA、热阻与波形限值进行仿真与验证。

八、总结

FDD86110 是一款面向中高电压与中大电流场合的 N 沟道功率 MOSFET，凭借 100V 耐压、低 RDS(on) 与 DPAK 封装的组合，适合多种开关电源与电机驱动应用。合理的栅极驱动和 PCB 散热设计是发挥其性能并保证可靠性的关键。若需详细电气特性与应用参考，请参阅安森美官方数据手册。