FES1DE 产品概述

一、主要规格与性能

FES1DE 是 DIODES（美台）推出的一款快恢复/高效率二极管，主要电气参数如下：

• 正向压降 Vf = 920 mV @ IF = 1 A
• 直流反向耐压 Vr = 200 V
• 额定整流电流 IF(AV) = 1 A
• 反向漏电流 Ir = 5 μA @ 200 V
• 反向恢复时间 Trr ≈ 25 ns
• 工作结温范围 Tj = -55 ℃ ~ +150 ℃
  封装形式为 DO-219AA（塑封直插），适合通用整流与开关电路。

二、产品特点

• 快恢复特性：Trr ≈ 25 ns，可在中高频开关场合减少开关损耗与电磁干扰。
• 较低的反向漏电：5 μA@200 V，在高压应用中降低待机损耗与静态泄漏。
• 高温耐受：工作结温最高可达 150 ℃，有利于恶劣环境或散热受限场合。
• 可靠的整流能力：1 A 连续整流电流适用于小功率电源与保护电路。

三、封装与热管理

DO-219AA 封装便于手工焊接和插装式电路板应用，但散热能力受限：

• 建议在 PCB 上提供较大铜箔散热区并采用过孔过板连接，以降低结温。
• 在持续 1 A 工作或高脉冲场景下，需对 PCB 铜面积、通风或加散热片进行热裕度评估。
• 高温环境应按厂家温度-电流降额曲线进行设计（必要时预留安全裕量）。

四、典型应用场景

• 开关电源的输出整流或回灌二极管（中等频率）
• 反激/正激与降压、升压转换器中的快速整流
• 电机驱动的续流二极管与保护电路
• 通用整流、浪涌钳位与保护元件

五、使用与选型建议

• 在高开关频率或需更低正向压降的场合，可比较肖特基二极管（Schottky）与本件的权衡：FES1DE 在反向耐压与耐热性上有优势，但 Vf 较肖特基高。
• 设计时建议在最高工作电压上保留 20% 左右的裕量，以提高可靠性。
• 对于重复高脉冲或高平均电流应用，应进行实际温升测试并适当降额使用。

六、可靠性与测试要点

• 关注反向恢复性能在不同电流/电压下的变化，实际电路中可能影响尖峰电压与 EMI。
• 在高温、高压长期工作时，应验证漏电流随温度升高的变化并做好热保护。
• 建议在样机阶段进行热循环、湿热与耐压测试以验证系统级可靠性。

FES1DE 作为一款 200 V 级别、1 A 等级的快恢复二极管，兼顾耐压、恢复速度与高温能力，适用于中小功率电源与通用保护场合。根据实际电路的频率、散热条件与效率需求，可以决定是否采用或替代为肖特基/超快恢复器件。