FDD770N15A 产品概述

一、概述

FDD770N15A 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款 N 沟增强型功率 MOSFET，额定漏源电压 Vdss 为 150V，连续漏极电流 Id 为 18A，适用于中高电压开关场合。器件采用 TO-252（DPAK）表面贴装封装，单片装量 1 个，工作温度范围宽 (-55℃ ~ +150℃)，适合自动化装配与紧凑功率设计。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET（增强型）
• Vdss：150V
• 连续 Id：18A
• 导通电阻 RDS(on)：61mΩ @ Vgs=10V, Id=12A
• 最大耗散功率 Pd：56.8W
• 阈值电压 Vgs(th)：4V
• 总栅极电荷 Qg：11nC @ Vgs=10V
• 输入电容 Ciss：765pF @ 75V
• 反向传输电容 Crss：6pF @ 75V
• 封装：TO-252 (DPAK)
• 工作温度：-55℃ ~ +150℃

三、性能与特点

• 150V 耐压适合离线开关电源、适配器及工业电源前端应用。
• 在 Vgs=10V 驱动下 RDS(on)=61mΩ，12A 工作点的导通损耗约为 I^2·R ≈ 12^2×0.061 ≈ 8.8W，设计时需考虑散热能力与频繁开关的热累积。
• Qg=11nC（10V）表明栅极驱动电荷适中，按能量计算单次栅极充电能量约为 0.5·Qg·Vgs ≈ 55nJ（Vgs=10V），对高频开关时栅极驱动损耗和驱动器选型有参考意义。
• Ciss=765pF 与 Crss=6pF 提示器件具有较低的米勒电容，有利于降低开关过程中的电压耦合与延迟，提升开关速度与效率。

四、封装与热管理

TO-252 (DPAK) 为常用的表面贴装功率封装，器件底部和散热片需与 PCB 大面积铜箔相连以提升散热性能。尽管 Pd 标称为 56.8W，但实际可用耗散受 PCB 铜厚、散热面积与环境温度影响显著；建议在高电流或连续工作场景下进行热仿真并预留散热铜箔与热盲孔或外部散热措施。确保栅极驱动达到 10V 以获得低 RDS(on)。

五、典型应用

• 开关电源（SMPS）功率开关管
• DC-DC 转换器与同步整流
• 电机驱动与负载开关
• LED 驱动、电池管理与工业控制功率级

六、选型与使用建议

• 本型号阈值 Vgs(th)=4V，非典型“逻辑电平”器件，建议采用 10V 专用驱动以获取标称 RDS(on)。
• 在高频应用中注意栅极驱动损耗（Qg）、开关损耗与结温升，必要时选择驱动电路提升上升/下降速率并加装阻尼以控制 EMI。
• 系统设计时应留足电压裕量（Vdss 150V），并考虑浪涌、瞬态与击穿能量限制；若需吸收能量（如感性负载开关），应核对器件的能量容忍度与保护方案。

总体而言，FDD770N15A 在 150V 电压等级与中等电流范围内提供了平衡的导通电阻与开关性能，适合对效率与成本有综合要求的中高压功率应用。