型号:

BC817-40-AU_R1_000A1

品牌:PANJIT(强茂)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:0.029g
其他:
-
BC817-40-AU_R1_000A1 产品实物图片
BC817-40-AU_R1_000A1 一小时发货
描述:三极管(BJT) 330mW 45V 500mA NPN
库存数量
库存:
9000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.12
3000+
0.095
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)330mW
直流电流增益(hFE)250
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)5uA
集射极饱和电压(VCE(sat))700mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN

BC817-40-AU_R1_000A1 三极管产品概述

一、产品基本信息

BC817-40-AU_R1_000A1是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),由台湾强茂电子(PANJIT)出品,采用SOT-23小型表面贴装封装。该器件定位为中低频小信号放大与开关应用,兼顾电气性能稳定性与封装紧凑性,适用于消费电子、工业控制等多领域的小型电路设计。

二、关键电气参数解析

1. 额定电流与电压

  • 集电极最大连续电流(Ic):500mA,可满足中等功率的小信号驱动需求(如小型LED驱动、继电器线圈辅助控制);
  • 集射极击穿电压(Vceo):45V,能承受较高反向电压,提升电路抗浪涌能力(如电源输出端的过压防护辅助);
  • 射基极击穿电压(Vebo):5V,设计时需严格控制基极-发射极间电压不超过此值,避免器件击穿。

2. 直流电流增益

在典型工作点(Ic=100mA、Vce=1V)下,直流电流增益(hFE)可达250,放大倍数稳定且较高,适合弱信号放大场景(如传感器输出信号调理、音频前置放大)。

3. 开关与频率特性

  • 集射极饱和电压(VCE(sat)):700mV(Ic=500mA、Ib=50mA时),饱和压降较低,开关速度较快,适配小型开关电路;
  • 特征频率(fT):100MHz,表明器件在中低频段(100MHz以下) 具有良好放大能力,不适用于高频射频电路。

4. 功耗与截止电流

  • 最大耗散功率(Pd):330mW,实际工作中需通过PCB布线(如增加散热铜箔)控制功耗,避免过热;
  • 集电极截止电流(Icbo):≤5uA,漏电流较小,有助于降低电路静态功耗(如电池供电设备的低功耗设计)。

5. 工作温度范围

器件可在**-55℃+150℃** 宽温度范围内稳定工作,覆盖商业级(070℃)与工业级(-40~85℃)需求,适合户外或极端环境应用。

三、主要应用场景

该器件因性能均衡、封装紧凑,广泛用于:

  1. 小信号放大电路:音频前置放大、传感器信号调理(如温度传感器输出放大);
  2. 小型开关电路:LED驱动辅助开关、继电器线圈(小功率)控制、逻辑电平转换;
  3. 消费电子:手机/平板的电源管理辅助电路、按键检测电路;
  4. 工业控制:小型传感器接口、低功率执行器驱动(如微型电机辅助控制)。

四、封装与可靠性说明

采用SOT-23封装(尺寸约2.9×2.0×1.1mm),引脚为3脚(基极B、发射极E、集电极C),符合标准排列规范,便于焊接与高密度PCB布局。结合宽温度范围,器件具有良好的环境适应性与长期可靠性,可满足多数应用的寿命要求。

五、设计注意事项

  1. 电压限制:基极-发射极间电压(Vbe)不得超过5V,避免反向击穿;
  2. 功耗控制:实际功耗Pd=Vce×Ic,需确保不超过330mW,高温环境下可适当降低工作电流;
  3. 电流限制:集电极电流(Ic)不得超过500mA,避免过流烧毁;
  4. 散热设计:若工作在高功耗场景,可在集电极引脚附近增加散热铜箔,提升热传导效率。

综上,BC817-40-AU_R1_000A1是一款性能可靠、应用广泛的NPN三极管,适合中低频小信号放大与开关场景,是电路设计中常用的基础器件之一。