FDD390N15ALZ 产品概述

一、产品概况

FDD390N15ALZ 是 ON（安森美）出品的一款 N 沟场效应管（MOSFET），额定漏源电压 150V，连续漏极电流 26A，最大耗散功率 63W。器件封装为 TO-252（DPAK），适合表面贴装的中高压开关场合。工作温度范围宽，-55℃ 到 +150℃，能够满足汽车级及工业级的严苛环境要求。

二、关键电气参数

• 漏源电压 Vdss：150V
• 连续漏极电流 Id：26A
• 导通电阻 RDS(on)：33.4 mΩ @ Vgs=10V（在额定条件下的导通损耗参考值）
• 门极阈值 Vgs(th)：2.8V（开启阈值，非典型逻辑电平驱动）
• 总栅电荷 Qg：17.6 nC @ 10V（驱动电流与驱动速度设计参考）
• 输入电容 Ciss：1.76 nF @ 75V（开关瞬态时的驱动与损耗考量）
• 功耗 Pd：63W（需结合散热条件参考使用）

三、性能与特点

FDD390N15ALZ 在 10V 栅压下表现出较低的导通电阻，适用于中等电流与高压的开关应用。相对较大的总栅电荷表明在高速开关时需要合理的栅极驱动能力以控制开关损耗。DPAK 封装提供良好的 PCB 焊接和散热路径，适配自动化贴装与回流焊工艺。

四、热管理与可靠性建议

尽管器件额定功耗 63W，但实际可用功率受 PCB 散热、环境温度及焊盘面积限制。满载（例如 26A）下导通损耗约为 I^2·RDS(on)，在最大电流工况下导通损耗显著，需要通过增大铜箔面积、增加散热片或改善底层散热设计来降低结温。建议在设计中留足热阻裕量并进行热仿真验证。

五、驱动与开关设计要点

由于 Vgs(th)≈2.8V，器件在 10V 驱动下表现优良，若采用逻辑电平驱动（例如 5V）应评估 RDS(on) 变化对损耗的影响。栅极驱动器需能提供足够的峰值电流以快速充放电 Qg（17.6nC），避免因开关时间过长造成较高开关损耗。推荐在栅极加入小阻 (Rg) 以抑制振铃，并在驱动端加去耦电容。

六、应用场景

适用于开关电源（SMPS）、高压直流-直流转换器、电机驱动、逆变器、负载开关及工业控制等需要 150V 等级的中等功率场合。尤其适合空间受限且需表贴的设计。

七、保护与布线建议

• 对于感性负载，建议并联 TVS 或 RC 缓冲网络以吸收反向尖峰。
• 输出与栅极走线应尽量缩短，减小寄生电感，避免开关振铃。
• 大电流回路使用宽铜箔与多层过孔改善热与电流承载能力。

总结：FDD390N15ALZ 在 150V 电压等级下提供了较低的导通电阻和可靠的热性能，配合合适的栅极驱动与散热设计，可在多种中高压开关应用中发挥稳定作用。若需在具体电路中使用，建议结合实际工况做热、开关损耗与可靠性评估。