型号:

2SCR586JFRGTLL

品牌:ROHM(罗姆)
封装:TO-263
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
2SCR586JFRGTLL 产品实物图片
2SCR586JFRGTLL 一小时发货
描述:三极管(BJT) 40W 80V 5A NPN
库存数量
库存:
1000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.4
1000+
4.2
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)5A
集射极击穿电压(Vceo)80V
耗散功率(Pd)40W
直流电流增益(hFE)390@500mA,3V
特征频率(fT)200MHz
集电极截止电流(Icbo)1uA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@2A,100mA
射基极击穿电压(Vebo)6V

2SCR586JFRGTLL 产品概述

一、产品简介

2SCR586JFRGTLL 是 ROHM(罗姆)提供的一款 NPN 功率双极晶体管,典型额定参数包括:集电极电流 Ic = 5A、集射极击穿电压 Vceo = 80V、最大耗散功率 Pd = 40W,封装为 TO-263(D2PAK 类面装功率封装)。器件为中高电压、中等电流的功率 BJT,适合需要较大电流驱动且对饱和压和放大倍数有要求的应用。

二、关键参数解析

  • 集电极电流 Ic = 5A:可承载瞬时或持续的较大负载电流,但实际允许连续电流需视散热条件和封装热阻而定。
  • 集射极击穿电压 Vceo = 80V:适用于中等电压等级的开关或线性应用,能承受 80V 之内的反向电压。
  • 耗散功率 Pd = 40W:器件在良好散热(如大面积铜箔、散热器或底部焊盘)条件下可耗散高达 40W 功率,须注意实际电路中的结温限制。
  • 直流电流增益 hFE = 390 @ 500mA, 3V:在约 0.5A 电流点表现出很高的直流放大倍数,适合用较小的基极驱动电流实现较大集电极电流。
  • 特征频率 fT = 200MHz:结点高频特性较好,可用于中频率开关或放大场合,但实际开关速度还受存储电荷和饱和恢复时间影响。
  • 集电极截止电流 Icbo = 1μA:漏电流小,有利于高阻态下的低损耗。
  • 集射极饱和电压 VCE(sat) ≈ 300mV(示例条件 IC=2A, IB=100mA):低饱和压在开关或低压差线性工作时可降低导通损耗。
  • 射基极击穿电压 Vebo = 6V:基极-发射极间耐压相对有限,基极偏压设计需谨慎,避免超过 6V。

三、典型应用场景

  • 开关电源中的功率开关或开关管(中等电压/电流场合)。
  • 电机、继电器和电磁阀驱动。
  • 线性稳压器的串联元件或功率放大器。
  • 需要高电流增益的驱动级(可减少前级驱动功耗)。

四、设计与使用建议

  • 散热管理:Pd=40W 是在理想散热下的额定值。推荐在 PCB 上使用大面积铜箔、多个通孔导热到散热层或外接散热器,注意测量并限制结温。
  • 基极驱动:凭借高 hFE,基极电流要求较低,但在开关应用要确保足够的基极电流以避免长时间进入深饱和引发显著存储电荷;可考虑加基极电阻或使用快速移相/回血网络以改善关断。
  • 保护措施:对感性负载建议并联适当的吸收电路(反向二极管、RC 吸收器或 TVS)以抑制电压尖峰,保护 Vceo。
  • 基-发极电压限制:基极偏压应受控,避免超过 Vebo(6V);使用限流或稳压电路保护基极。
  • 与 MOSFET 的权衡:相较于 MOSFET,本器件在低压差下饱和压小且成本、驱动逻辑简单,但需要连续基极电流;选择时根据效率、驱动复杂度及开关频率权衡。

五、小结

2SCR586JFRGTLL 以 80V/5A 的电压电流等级、40W 的功耗能力和在中电流点表现优异的高 hFE(390)为显著特性,封装为 TO-263,适合中等功率、需较高电流增益且有一定散热条件的开关或线性功率应用。设计时重点关注散热布局、基极驱动与感性负载保护,便能发挥其在导通损耗和驱动简易性上的优势。若需精确热阻、极引脚排列或开关损耗等更详细参数,请参考厂方完整数据手册。