GCM32DC72A475KE02L — 4.7µF ±10% 100V 陶瓷电容器（X7S，1210）

一、产品简介

GCM32DC72A475KE02L 为 muRata（村田）系列高电压多层陶瓷电容器（MLCC），额定容量 4.7µF，容量公差 ±10%，额定电压 100V，温度特性 X7S，封装尺寸 1210（公制 3225）。该器件在体积受限但需较大容量与高电压承受能力的电源与滤波场合能提供良好的体积效率与可靠性。

二、主要参数（关键基准）

• 容值：4.7 µF
• 容值公差：±10%
• 额定电压：100 V DC
• 温度特性：X7S（工作温度范围通常为 -55 ℃ 至 +125 ℃）
• 封装：1210（约 3.2 mm × 2.5 mm，3225 公制）
• 品牌：muRata（村田）

三、结构与封装

该型号为多层陶瓷结构（MLCC），紧凑封装 1210 适合表面贴装（SMT）工艺。封装尺寸兼顾了较高的电压耐受与相对较大的电容量，使其在电源去耦与中小电容储能场景中具有较高的体积效率。

四、性能特点

• 高电压能力：100V 额定电压适用于较高直流母线与功率电路。
• 大容量密度：在 1210 尺寸下实现 4.7µF，可减少电路板占用空间。
• 宽温度范围：X7S 温度特性保证在 -55 ℃ ~ +125 ℃ 环境下正常工作。
• 稳定实用：适合去耦、电源滤波及旁路用途，但需注意介质本身在直流偏压下会出现电容量下降（DC bias）与温度/老化影响，具体行为请参照厂方曲线与数据手册。

五、典型应用场景

• 开关电源输入/输出旁路与滤波
• DC/DC 转换器输入电容与输出电容（中小功率）
• 通信设备、工业电源模块、消费电子中对体积与电压有较高要求的滤波场合
• 电压较高的耦合/储能与去耦应用（需留意 DC bias）

六、使用建议与注意事项

• DC bias 与温度影响：X7S 为 II 类介质，电容在施加高直流偏压时会出现显著下降；设计时应参考厂方的电容随偏压/温度的曲线并留有裕度。
• 回流焊工艺：采用推荐的回流焊曲线，避免过度热冲击与长时间高温暴露以减少失效风险。
• 机械应力敏感：贴装和PCB布局时应避免焊盘与基板引起的机械应力集中，必要时使用应力缓解设计。
• 长期可靠性：若为关键或长期运行应用，建议做加速应力试验与现场验证，并考虑电压降额（derating）策略以延长寿命。
• 参考资料：使用时请以村田官方数据手册为准，获取完整的电气特性曲线、等效串联电阻/感抗（ESR/ESL）及焊接指南。

七、选型与结论

GCM32DC72A475KE02L 在 1210 小封装中提供了相对较大的 4.7µF 容量与 100V 的耐压能力，适合对体积、电压和电容容量都有较高要求的电源与滤波应用。选型时建议重点关注 DC bias、工作温度条件和焊接工艺，并根据实际电路测试确认在工作电压下的有效容量与性能表现。若需更严格的温度稳定性或更低的偏压衰减，可考虑其它介质或更大封装的替代型号。