IRFS7530TRLPBF

产品概述：IRFS7530TRLPBF

制造商：Infineon Technologies
系列：HEXFET®, StrongIRFET™
封装类型：TO-263-3 (D²PAK)
状态：有源

1. 产品介绍

IRFS7530TRLPBF 是一款高级 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用 INFINEON 的 HEXFET® 技术和 StrongIRFET™ 设计，具有卓越的性能和可靠性。该器件被广泛应用于电源管理、逆变器、DC/DC 转换器以及高功率开关应用，能够满足各类工业和消费电子设备的需求。

2. 主要参数特点

• 连续漏极电流 (Id)：在环境温度 25°C 的情况下，IRFS7530 具有高达 195A 的连续漏极电流能力，适宜在高负载条件下持续运行。

• 额定工作电压 (Vdss)：此器件的漏源电压为 60V，使其适合进行中等电压的应用。

• 导通电阻 (Rds(on))：当栅极电压 (Vgs) 为 10V 时，IRFS7530 的最大导通电阻仅为 2 毫欧（@100A），这意味着器件在工作时能保持低的功率损耗，从而提高系统的能效。

• 功率耗散能力：IRFS7530 最大功率耗散可达 375W（根据温度条件 Tc），这使得它在高功率应用中表现出色。

• 宽工作温度范围：该 MOSFET 工作温度范围为 -55°C 至 175°C，使其适合极端环境的应用。

3. 栅极控制和驱动特性

• 栅极驱动电压：IRFS7530 支持最大栅极驱动电压为 ±20V，使得设计灵活性极高。

• 栅极电荷 (Qg)：在 10V 的 Vgs 驱动下，栅极电荷为 411nC，这对于电路的开关速度和驱动能力影响重大。

• 阈值电压 (Vgs(th))：最大阈值电压为 3.7V @ 250µA，确保在较低电压下能够顺利开启，适合各种控制策略。

4. 电气特性

• 输入电容 (Ciss)：在 25V 的额定电压下，输入电容达 13703pF，这有助于减小开关损耗，提高开关效率。

• 热管理：凭借其出色的热性能，IRFS7530 适合进行高效散热管理，确保在高温工作环境下仍能保持稳定运行。

5. 应用场景

IRFS7530 由于其高电流承载能力和优异的导通性能，非常适合用于：

• DC/DC 转换器：高效电源管理解决方案，用于数据中心、服务器和云计算等领域。
• 电机驱动：在电动汽车和工业自动化中驱动高功率电机。
• 开关电源：提升开关频率和能效，适合消费电子产品如电视、音频设备等。
• 电源逆变器：在光伏、风能等可再生能源领域中负责电能转换。

6. 结论

Integrating the IRFS7530TRLPBF into electrical designs provides engineers with a robust solution that delivers high current capacity, low on-resistance, and broad operating temperature ranges. This makes it an ideal choice for modern power management applications requiring reliability, efficiency, and ease of integration. The combination of INFINEON’s advanced manufacturing and design experience positions IRFS7530 as a top choice in the ever-growing market of high-performance MOSFETs.