型号:

TCET1102G

品牌:VISHAY(威世)
封装:DIP-4
批次:23+
包装:管装
重量:0.535g
其他:
-
TCET1102G 产品实物图片
TCET1102G 一小时发货
描述:晶体管输出光耦 DC 光电三极管 50mA 1.25V
库存数量
库存:
199
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.42
4000+
1.36
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.25V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)5kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压70V
输出通道数1
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@1mA,10mA
上升时间(tr)3us
下降时间4.7us
工作温度-40℃~+100℃
电流传输比(CTR)最小值63%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值125%
正向电流(If)60mA

TCET1102G 产品概述

一、产品简介

TCET1102G 为 VISHAY(威世)出品的晶体管输出型光电耦合器,输入为直流驱动的发光二极管,输出为光电三极管。器件提供单通道隔离,采用 DIP-4 通孔封装,适用于需要电气隔离且对响应速度和输出承受能力有中等要求的场合。

二、主要特性

  • 输入正向压降(Vf):1.25V(典型值)
  • 最大正向电流(If):60mA(瞬态/最大)
  • 输出集电极电流:最高 50mA
  • 电流传输比(CTR):最小 63%,最大/饱和可达 125%(典型工作区间)
  • 隔离耐压(Vrms):5 kV,适合一般工控与通信隔离要求
  • 直流反向耐压(Vr):6V(LED 反向)
  • 负载电压(Collector voltage):可达 70V
  • 集射极饱和电压(VCE(sat)):约 300mV(标称 @ Ic=1mA、10mA)
  • 上升/下降时间:tr ≈ 3 μs / tf ≈ 4.7 μs
  • 工作温度:-40℃ 至 +100℃

三、电气参数与设计要点

  • 输入端:为 LED 驱动,请通过限流电阻设置 If。例:若驱动电压 5V,若希望 If=20mA,则 R = (5V − 1.25V)/20mA ≈ 187Ω(取 180Ω/200Ω)。
  • 输出端:CTR 随 If、温度及器件个体差异变化。若 If=10mA 且 CTR=63%,则预计 Ic ≈ 6.3mA。设计时按最小 CTR 做最坏情况预留。
  • 若需要较低 VCE(sat) 或驱动较大电流(接近 50mA),务必确保器件散热与功率耗散限制;长时间接近最大值会加速老化。
  • 输出为 NPN 光电三极管,通常需要上拉电阻配合工作。上拉电阻 Rpu 可由所需负载电流与 Vcc 计算,例如 Vcc=5V、期望 Ic=10mA:Rpu≈(5−0.3)/10mA≈470Ω。

四、速度与响应

tr=3μs、tf=4.7μs,属于低至中等速度光耦。适用于开关、脉冲隔离、数字信号传输等一般控制和工业监测场景,但不适合高频精密数据链路或 MHz 级信号。

五、封装与机械特性

  • 封装:DIP-4 通孔,便于波峰焊或手工插件安装,适合传统 PCB 与模块化设计。
  • 单通道设计节省 PCB 面积并简化线路布置。

六、典型应用场景

  • 工业控制信号隔离(PLC、继电器驱动、传感器接口)
  • 开关电源反馈隔离、数字隔离接口
  • 电平移位与微控制器输入保护
  • 中低速数据隔离、脉冲监测与计数电路

七、使用建议与注意事项

  • 设计时按最小 CTR、最大工作温度与长期电流降额(derating)考虑裕量。
  • LED 反接电压 Vr 仅 6V,电路中应避免反向冲击或并联保护二极管。
  • 若需长期输出大电流(接近 50mA),建议采用外部功率级或并联驱动以减轻光耦负担。
  • PCB 上应保持输入/输出侧合理的爬电/气隙距离,配合 5kVrms 隔离特性以满足安全规范。
  • 对于噪声敏感或高速应用,增加滤波或改善接地布局以降低误触发风险。

八、总结

TCET1102G 是一款性能平衡的晶体管输出光耦,提供较高隔离电压(5kVrms)、较宽的 CTR 范围和可达 50mA 的输出能力,配合 DIP-4 通孔封装,适合工业控制、开关隔离和通用信号隔离应用。设计时应重视 CTR 的变动、最大正向/集电极电流限制与热管理,以获得稳定可靠的长期性能。