4N60L — UMW（友台）600V N沟道功率MOSFET产品概述

一、产品概述

4N60L 是一款表面贴装（TO-252 / DPAK）结构的 N 沟道功率 MOSFET，面向中高压开关应用。器件耐压 600V，连续漏极电流 Id 为 4A（器件在规定散热条件下），适合离线开关电源、反激/正激变换、LED 驱动与高压开关场合。封装兼顾散热与表贴装配的可行性，适合自动贴装与回流焊工艺。

二、主要电气参数

• 漏源电压 Vdss：600V
• 连续漏极电流 Id：4A（Tc 条件参考）
• 导通电阻 RDS(on)：2Ω @ Vgs = 10V（较高，适合中低电流方案）
• 阈值电压 Vgs(th)：4V @ 250μA（门槛偏高，需合适门极驱动电压）
• 总栅极电荷 Qg：14.8nC @ 10V（栅极驱动能量中等）
• 输入电容 Ciss：580pF（开关过渡期间存在一定电容充放电损失）
• 功耗 Pd：36W（常规 PCB 散热）；器件在壳体基准面 Tc 条件下散热能力可达 104W
• 工作温度：-55℃ ~ +150℃

三、性能特点与设计要点

• 高耐压（600V）适合高压侧开关；RDS(on) 较大，导通损耗在较高电流下明显，应权衡开关频率与导通损耗。
• 阈值 4V，实际驱动推荐 Vgs = 10V 以降低 RDS(on)，门极驱动器需提供足够电流以应对 Qg=14.8nC 的充放电。
• Ciss 较大，对高速开关设计需注意栅极回路阻抗与电磁兼容（EMI）控制。
• DPAK 封装便于表贴生产，板级散热设计（铜箔面积、热过孔、散热垫）对器件热平衡关键。

四、典型应用

• 离线开关电源（SMPS）高压开关管
• 反激/正激变换器、LED 恒流驱动电源
• 高压开关和保护电路、工业电源模块
• 要求耐压高、功率中等且成本敏感的电源解决方案

五、封装与可靠性建议

• 封装：TO-252（DPAK），支持回流焊与自动贴装流程。
• 温度管理：建议在 PCB 采用大面积铜箔与多过孔热 vias，将热量传导至散热层或散热片；工作结温应控制在器件额定范围内。
• 使用注意：防静电处理，合理选择驱动电路以避免栅极过压或振铃；焊接遵循封装回流温度曲线，避免超温影响可靠性。

4N60L 适合在需要 600V 抗压且电流在数安培量级的中高压电源场合使用，设计时应重点考虑导通损耗与栅极驱动能量的匹配，以及 PCB 散热优化。