HYG210P06LQ1C2 产品概述

一、产品简介

HYG210P06LQ1C2 是华羿微（HUAYI）推出的一款 P 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 Vdss 为 60V，连续漏极电流 Id 达到 40A，适用于需要在中低电压母线上进行高效高侧开关与保护的场合。器件封装为 TO-220FB-3L，便于散热与安装，器件工作温度范围宽（-55℃~+175℃），可满足较苛刻环境下的可靠性需求。

二、主要电气参数

• 漏源电压 (Vdss)：60V
• 连续漏极电流 (Id)：40A
• 导通电阻 (RDS(on))：35mΩ @ |Vgs|=4.5V
• 功耗耗散 (Pd)：60W
• 栅极阈值电压 (Vgs(th))：3V @ 250µA（标称）
• 总栅极电荷 (Qg)：18nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss)：3.679nF
• 输出电容 (Coss)：123pF
• 反向传输电容 (Crss)：60pF
• 类型：P 沟道 MOSFET
• 封装：TO-220FB-3L

三、关键特性与优势

• 低导通电阻（35mΩ）在较小驱动电压下即可实现较低导通损耗，适合较大电流应用。
• 较高的额定电流（40A）与 60W 耗散能力，配合 TO-220 封装能有效处理瞬态与中等功率的热量。
• 总栅极电荷 18nC 与 Ciss 值表明在中速开关应用中具有平衡的开关损耗与驱动要求，便于与常见驱动电路匹配。
• 宽温度范围提升系统在工业与严苛环境下的可靠性。

四、典型应用场景

• 电源管理中的高侧开关与负载切换（如电池供电设备、电源分配）。
• 反向极性保护与电源切换电路。
• 工业控制、通信设备与消费电子中的功率控制模块。
• 需要直插散热处理的功率放大或保护电路。

五、驱动与使用建议

• 作为 P 沟道器件，栅源电压需相对于源极施以负压（即将栅极拉低）以导通；注意驱动幅值不要超过器件最大 Vgs 限制（详见正式数据手册）。
• 在高频开关场合应关注 Qg、Ciss 带来的驱动损耗，必要时增加合适的驱动能力或采用栅极电阻以抑制振铃。
• TO-220FB-3L 封装需配合散热片或良好 PCB 散热设计使用，保证在高功耗工况下结温不过高；布局时应尽量缩短高电流回路，增加铜箔面积以降低寄生阻抗。

六、选型注意事项

• 确认系统最大工作电压在器件 Vdss 余量范围内；对短路与浪涌情况应进行热仿真与保护设计。
• 比较 P/N 沟道器件时，注意阈值、电阻测量条件与导通电流标称的差异，必要时做实际工况下的测试验证。
• 若需更低的导通损耗或更高开关频率，可在选型时同时对比具有更低 RDS(on) 或更小 Qg 的型号。

如需完整电气特性曲线、最大额定值及封装机械图，请参考华羿微官方数据手册或联系供应商获取详细技术资料。