型号:

FD2203S

品牌:JSMSEMI(杰盛微)
封装:SOP-8
批次:25+
包装:未知
重量:-
其他:
-
FD2203S 产品实物图片
FD2203S 一小时发货
描述:未分类
库存数量
库存:
3988
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.993
4000+
0.942
产品参数
属性参数值
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
灌电流(IOL)4A
拉电流(IOH)4A
工作电压9V~20V
上升时间(tr)50ns
下降时间(tf)40ns
工作温度-40℃~+125℃

FD2203S 产品概述

一、产品简介

FD2203S 为 JSMSEMI(杰盛微)推出的一款半桥驱动器,针对 MOSFET 开关器件的高频快速驱动需求设计。器件采用 SOP-8 封装,适合 PCB 插装与中小功率模块化应用。工作电压范围 9V 至 20V,可在汽车级与工业级电源环境中稳定工作,工作温度范围为 -40℃ 至 +125℃。

二、主要电气参数

  • 驱动配置:半桥(上/下桥驱动)
  • 负载类型:MOSFET
  • 灌电流 (IOL):4A(下拉驱动能力)
  • 拉电流 (IOH):4A(上拉驱动能力)
  • 上升时间 (tr):50ns(典型,取决于负载与外接元件)
  • 下降时间 (tf):40ns(典型)
  • 工作电压:9V ~ 20V
  • 工作温度:-40℃ ~ +125℃
  • 封装:SOP-8

三、产品特点与优势

  1. 大电流驱动能力:4A 的拉/灌电流可支持快速充放电 MOSFET 栅极,减少开关损耗与交越区停留时间。
  2. 宽工作电压:9–20V 适配多种驱动电压(常用 10–12V、12–15V 等),兼容多种驱动电源方案。
  3. 快速切换特性:50ns/40ns 的上升/下降时间有助于实现高效率、高频率开关,但需注意电磁兼容(EMC)与振铃控制。
  4. 宽温度范围:-40℃ 至 +125℃ 满足严苛环境的可靠性要求。
  5. 小尺寸封装:SOP-8 有利于批量生产与成本控制,适合集成到各类电源与驱动板上。

四、设计注意事项

  • 旁路与去耦:驱动电源近端应放置 0.1µF 陶瓷旁路电容,并辅以 1µF~10µF 的电解/薄膜电容以抑制低频纹波。
  • 栅极阻尼:为控制开关瞬态及抑制振铃,建议在栅极串联阻值 2Ω~20Ω(根据 MOSFET 与寄生参数调整)。
  • 引脚散热与布局:SOP-8 封装对 PCB 散热有限,须优化铜箔面积并在电流路径上增大铜厚,缩短高电流回路。
  • 高侧驱动:半桥应用常需外加 bootstrap 电容或独立浮动电源以驱动高侧 MOSFET,设计时确认驱动供电方案与续流路径。
  • 保护与互锁:若电路需要建议外加欠压锁定、死区时间与短路检测,以防止 shoot-through 和器件损坏。

五、典型应用场景

  • 同相/逆相桥式电源(DC-DC 变换器)
  • 无刷直流电机(BLDC)驱动小型功率级
  • 逆变器前端开关及半桥功率模块
  • LED 驱动与电源管理电路

六、封装与可靠性

SOP-8 封装便于手工焊接与自动化贴片,适用于中低功率应用。器件设计满足 -40℃~+125℃ 的工作温度,有利于汽车电子与工业控制领域的长期可靠性需求。推荐在采购时确认批次与存储条件,并按厂家推荐焊接曲线进行回流工艺。

如需进一步的电气特性曲线、引脚定义或典型应用电路图,请提供具体的使用场景和目标 MOSFET 型号,以便给出更精确的设计建议。