IRS2117STRPBF 产品概述

一、产品简介

IRS2117STRPBF 是英飞凌（Infineon）面向高压侧单通道功率器件的驱动器，专为 IGBT 和 MOSFET 门极驱动设计。工作电源范围宽（10V–20V），在严苛工作温度下仍能稳定驱动功率开关器件，封装为 SOIC-8，适合集成在中小功率逆变器、驱动模块及电源转换器中。

二、主要特性

• 驱动配置：高边驱动（High-side）
• 适用负载：IGBT / MOSFET
• 驱动通道数：1
• 灌电流（下拉，IOL）：600 mA
• 拉电流（上拉，IOH）：290 mA
• 工作电压（VCC）：10 V ~ 20 V
• 上升时间（tr）：约 75 ns，下降时间（tf）：约 35 ns
• 传播延迟：约 105 ns
• 工作结温范围：-40 ℃ ~ +150 ℃（Tj）
• 封装：SOIC-8，环保无铅（STRPBF）

三、性能优势

IRS2117STRPBF 输出驱动能力强，尤其在下拉侧提供高达600 mA 的灌电流，可快速将开关器件关闭，缩短关断时间并降低切换损耗。较快的上升/下降时间配合 105 ns 的传播延迟，使其在中高速开关场合表现良好。宽温度范围与高压耐受能力满足工业级应用需求。

四、典型应用

• 三相/单相逆变器与交流驱动器
• 电机驱动与伺服系统
• 开关电源（SMPS）与功率因数校正（PFC）
• 焊接机、电源测试设备及工业功率模块

五、设计注意事项

• 采用合适的栅极电阻以抑制振荡并控制 dv/dt，应根据器件寄生参数选择阻值。
• 注意布局：电源与接地回路短且粗，驱动与被驱动器件之间走线尽量短，减少环路电感。
• 在高频或高温工况下关注封装散热，可搭配散热铜箔或散热器改善热性能。
• 使用合适的旁路与引导电容（例如引导电容和旁路电容）以保证驱动电源稳定。

IRS2117STRPBF 以其稳健的驱动能力、宽工作电压与工业级温度规格，适合需要高可靠性与快速响应的功率电子系统。