1N5819WT 产品概述

一、产品简介

1N5819WT 是杰盛微（JSMSEMI）推出的一款小型肖特基整流二极管，采用 SOD-523 封装，适用于空间受限的消费电子与通信设备。基于提供的典型参数，该器件具有低正向压降、较低反向漏电以及良好的浪涌承受能力，适合用作低压快恢复整流、反向保护与电源轨防护等场合。

二、主要电气参数（基于给定数据）

• 二极管配置：独立式（单个器件）
• 正向压降 Vf：600 mV @ 200 mA
• 直流整流电流（额定）：350 mA
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：13 A（单脉冲）
• 直流反向耐压 Vr：40 V
• 反向电流 Ir：5 μA @ 30 V

上述参数表明 1N5819WT 在中低电流、低压场景下能够提供较低损耗的整流特性，同时在突发浪涌时具备一定保护能力。

三、特点与优势

• 低正向压降：在 200 mA 条件下约 0.6 V，降低导通损耗，适合电池供电和高效率需求场景。
• 小型封装：SOD-523 体积小，便于高密度 PCB 设计和移动设备应用。
• 低反向漏电：在高达 30 V 反向电压下漏电仅约 5 μA，有利于待机功耗控制。
• 良好浪涌能力：13 A 单次浪涌容量可应对开关瞬态及启动浪涌。

四、典型应用

• 移动设备与便携式充电器中的反向连接保护
• 开关电源与降压模块的输出整流（低电流场景）
• 逻辑电平保护与电源轨隔离
• 信号链路的钳位与快速整流

五、使用与设计建议

• 电流热设计：额定整流电流为 350 mA，长期使用时需考虑 PCB 铜箔散热与器件周边热阻，必要时采用散热铜箔加宽或并联器件分流。
• 浪涌保护：Ifsm 为单脉冲能力，若存在频繁或长时间大电流冲击，应在电路中增加限流电阻或选择更大封装/更高浪涌能力的器件。
• PCB 布局：在 SOD-523 小封装上保证焊盘与热过孔设计，尽量缩短走线以减少寄生阻抗，确保可靠焊接与热传导。
• 焊接工艺：遵循 SMD 常规回流曲线（参考 J-STD-020），避免过高回流峰值温度与过长加热时间以免损伤器件。

六、封装与可靠性

SOD-523 为超小型表贴封装，适合自动化贴装与高密度布板。器件在潮湿环境下应按行业标准妥善防潮处理（MSL 要求），并在推荐的环境温度和应力条件下使用，以保证长期可靠性。

七、选型提示

在选用 1N5819WT 时，若电路工作电流接近或超过 350 mA、或对浪涌要求高于 13 A，应考虑更大封装或更高额定电流的肖特基器件。同时，如需更低正向压降，可对比其它肖特基型号的 Vf 曲线，选择更适合的器件版本。

总结：1N5819WT 以其低 Vf、低 Ir 与小型 SOD-523 封装，在中低功率、受限空间的整流与保护应用中具备良好性价比。实际设计时应关注热管理与浪涌保护策略以确保长期稳定运行。