WNM6002-3/TR-ES 产品概述

一、产品简介

WNM6002-3/TR-ES 是静芯微（ElecSuper）推出的一款小封装、低能耗的 N 沟道增强型场效应管（MOSFET）。器件额定漏源电压 60V，适用于中低电流、高压差的开关与保护应用。封装为 SOT-323，体积小、适合便携与密集布板设计。

二、主要参数（典型/额定）

• 类型：N 沟道 MOSFET
• 漏源电压 Vdss：60V
• 连续漏极电流 Id：300mA
• 导通电阻 RDS(on)：约 1.8Ω @ Vgs=10V；约 2Ω @ Vgs=4.5V（200mA 条件下典型值）
• 阈值电压 Vgs(th)：1.1V @ Id=250µA
• 总耗散功率 Pd：350mW
• 栅极电荷 Qg：1.6nC @ Vgs=4.5V
• 输入电容 Ciss：15pF；反向传输电容 Crss：1.3pF；输出电容 Coss：3.3pF
• 封装：SOT-323
• 数量：单个（1 个 N 沟道）

三、产品特点与优势

• 低导通电阻、低损耗：在合理栅压下 RDS(on) 较低，适合 100~300mA 级别负载，导通损耗可控。
• 低栅电荷与小电容：Qg 和 Ciss 均较小，驱动功耗低，易于实现快速开关和降低驱动器负担。
• 高电压能力：60V 漏源耐压满足工业级、汽车电子外围或电池组高压侧的开关需求（请按实际系统余量选型）。
• 微型封装：SOT-323 适用于空间受限的消费电子与可穿戴设备。

四、典型应用场景

• 便携设备电源开关与电源路径控制
• 小电流 DC-DC 开关及同步整流场合（需评估功耗）
• 反向保护、负载切断与电池管理外围开关
• 通信与传感器模块的电源控制与保护

五、使用建议与注意事项

• 栅极驱动：器件在 Vgs≈4.5V 即能导通，驱动电荷小；若采用 10V 驱动，能进一步降低 RDS(on)。请根据系统允许的 Vgs 选择合适驱动电压，避免超过器件允许的最大 Vgs（详见完整数据手册）。
• 热管理：器件耗散功率 Pd=350mW，SOT-323 热阻较大，高电流持续工作时建议在 PCB 上增加铜箔散热并减少环境温升。示例：在 300mA、RDS(on)=1.8Ω 条件下导通损耗约 0.162W，仍需考虑温升余量。
• 开关控制：建议在快切换场合串联小阻（10–100Ω）以限制瞬时电流与抑制振铃，同时保持 PCB 良好接地布局以降低寄生电感影响。
• ESD 与焊接：小封装对静电敏感，生产与维修过程中注意防静电措施；焊接工艺请参考厂方回流曲线以防损伤封装。

六、封装与订购

• 封装：SOT-323（小型封装，适合自动贴片）
• 订购型号：WNM6002-3/TR-ES（由 ElecSuper 出品）
• 备注：批量采购或特殊包装需求请联系供应商获取详细供货与测试资料。

七、总结

WNM6002-3/TR-ES 是一款面向小电流、高压差场合的微功耗 N 沟道 MOSFET，具有低栅电荷、小输入电容和微型封装的优势，适合便携电源、电源路径控制与小功率开关应用。在选型时应结合实际工作电流、栅极驱动电压与散热条件评估器件性能，确保长期可靠工作。若需更完整的典型电路、封装尺寸和绝对最大额定值，请参阅厂方完整数据手册。