MB1S 单相整流桥（ON / 安森美，SOIC-4）

一、产品概述

MB1S 是 ON（安森美）生产的一款单相整流桥，采用紧凑的 SOIC-4 封装，面向低功率交流到直流整流的应用场景。该器件每只二极管在 500 mA 工作电流下正向压降约为 1.0 V，整流电流额定 500 mA，反向耐压 100 V，反向漏电流在 100 V 时典型为 5 μA。器件还具备 35 A 的非重复峰值浪涌承受能力，工作结温范围宽（-55 ℃ 至 +150 ℃），适用于空间受限且工作环境要求较高的消费类和工业类电源电路。

二、关键电气参数

• 类型：单相整流桥（桥式整流，四端 SOIC-4）
• 正向压降（Vf）：1.0 V @ IF = 500 mA（单个二极管）
• 直流反向耐压（Vr）：100 V
• 整流电流（IF(AV)）：500 mA（连续整流电流）
• 反向电流（Ir）：5 μA @ VR = 100 V
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：35 A（单次冲击耐受能力）
• 工作结温范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：SOIC-4（低矮、可焊接 PCB）

三、主要特性与优势

• 低正向压降：在 500 mA 工作点每只二极管约 1 V 的压降，有助于减少整流损耗与发热。
• 低反向漏流：5 μA@100 V 的漏电流适合对待机或空载功耗敏感的设备，支持高压直流环境下的稳定性。
• 良好的浪涌承受力：35 A 的非重复峰值浪涌能力可应对短时的充电电容启动电流或突发冲击。
• 宽温度范围：-55 ℃ 到 +150 ℃ 的工作结温满足工业级应用的温度要求。
• 小型封装：SOIC-4 便于表面贴装、节省 PCB 面积，适合便携设备与嵌入式系统。

四、典型应用场景

• 小型开关电源的低功率整流（如从小型变压器或交流输入到滤波电容的整流）
• 电池充电器与适配器中的低电流整流段
• 电源极性保护、反接保护电路
• 家电、仪表仪器与工业控制系统中对体积和功耗有要求的整流场合
• LED 驱动与小功率功率模块的交流输入整流

五、封装与热管理建议

SOIC-4 封装体积小，便于自动贴装，但其热阻较大，所以在 500 mA 连续工作时需要注意功耗和 PCB 散热设计。设计要点包括：

• 计算功耗：桥式整流时通常有两只二极管串联导通，工作电流 500 mA 时总压降约 2 × 1.0 V = 2.0 V，整流功耗约 1.0 W（P = Vdrop × I）。应评估 PCB 铜箔面积和过孔数量以分散热量。
• 扩大铜箔面积：在器件引脚周围增加散热铜箔、连接到大地或电源平面，以降低结温。
• 留意环境温度与载流。必要时对输出电流做适当降额，以确保结温不超过器件额定上限。

六、使用注意事项与设计建议

• 电压驻留：若输入交流峰值接近或超过 100 V，应保证器件两端电压不超过额定 Vr，并考虑浪涌电压和暂态抑制。
• 浪涌保护：对于有较强浪涌或启动电流的场合，建议在输入端加浪涌抑制器（如 NTC、TVS 或限流电阻）以延长整流桥寿命。
• 滤波电容：滤波电容的充电脉冲会产生峰值电流，尽量评估 Ifsm 在具体脉冲条件下是否足够，必要时增大器件余量或改用额定更高的桥堆。
• 引脚焊接：推荐采用合理的回流焊工艺参数，避免热冲击导致应力集中。

七、可靠性与环境适应

MB1S 的工作结温覆盖宽广，适用于工业等严苛环境。同时，低漏电流和较高的浪涌能力共同提升在长期运行中对电压应力和瞬态冲击的抵抗力。具体的寿命与可靠性还依赖于 PCB 散热、工作电流与环境温度的共同影响，设计时应参考器件数据手册的热阻与额定曲线进行热裕量评估。

八、封装与选型要点

• 封装形式：SOIC-4 方便表面贴装及自动化生产，适合体积受限的电路板。
• 选型提示：若电路存在更高工作电流或更强浪涌/温度应力，请考虑额定更高的桥堆或通过并联/增强散热来满足需求；如需更低压降或更高电压等级，也可在 ON 的产品线中选择相应型号。

总结：MB1S 以其低 Vf、低漏电流、100 V 耐压和 SOIC-4 小封装为特色，适合各类低功率整流应用。合理的 PCB 散热与浪涌保护将显著提升其长期稳定性与可靠性。若需更详细的温度-电流降额曲线、封装尺寸或测试条件，请参考 ON 官方数据手册。