MBR120LSFT1G 产品概述

一、基本参数与身份识别

MBR120LSFT1G 是 ON（安森美）出品的一款肖特基势垒整流二极管，典型工作结温范围为 -55℃ ~ +125℃。主要电气参数：正向压降 Vf = 650 mV（测试条件 3 A），额定平均整流电流 1 A，直流反向耐压 Vr = 20 V，反向电流 Ir = 400 μA（在 20 V 时），非重复峰值浪涌电流 Ifsm 可达 50 A。封装为 SOD-123FL，适合贴片表面安装。

二、主要特性与优势

• 低正向压降：Vf 低至 650 mV（在 3 A 时作为参考），在低电压应用中可显著减小导通损耗，提升效率。
• 低反向恢复：肖特基结构几乎无反向恢复，适合高频开关电源与快速切换场合。
• 突发浪涌能力：Ifsm 50 A 提供良好的抗浪涌能力，增强瞬态过载耐受性。
• 小体积封装：SOD-123FL 提供占板面积小、适合高密度 PCB 布局的优点，便于自动化贴装。

三、典型应用场景

• 开关电源中的整流与续流二极管（低压前端整流、同步整流替代）。
• DC-DC 转换器、高频变换器的快恢复/续流路径。
• 电池供电设备与便携式终端的反向保护与电源整流。
• 电源 OR-ing、低压电源路径和稳压模块的低损耗保护。

四、封装与热管理建议

SOD-123FL 为小型贴片封装，热量主要通过焊盘向 PCB 散逸。使用建议：

• 在器件焊盘下和周围增加铜箔面积并配合热沉走线，以降低结温。
• 对频繁高电流或高环境温度场合，应进行热仿真并适当降额使用（例如限制连续负载或增加散热面积）。
• 遵循制造商推荐的回流焊工艺和 PCB 焊盘设计，避免过度机械应力和热应力。

五、使用注意事项与选型要点

• 虽然 Vf 在 3 A 时给出 650 mV，但器件额定整流电流为 1 A，长期使用应按额定电流和热环境进行设计，避免长期在 3 A 条件下工作。
• 反向漏电 Ir 随温度上升显著增加，若在较高环境温度或高反向电压下使用，要考虑漏电对电路的影响。
• 浪涌 Ifsm 为非重复峰值能力，不宜作为长期重复过载依据；频繁的大电流浪涌会影响可靠性。
• 若需要更高耐压或更低漏电，可考虑其他型号或更大封装的肖特基管。

六、可靠性与测试建议

器件适用于 -55℃ 到 +125℃ 的结温范围，适配工业级温度要求。在设计验证阶段建议做：温度循环、功率循环、浪涌耐受测试和长期老化测试，以确认在目标应用下的可靠性。

七、总结

MBR120LSFT1G 在低压、高效率场合表现优秀，适合用于小型化电源和保护电路。凭借低正向压降、快速响应和小封装优势，在便携设备、开关电源和整流应用中具有较强的性价比。选型时务必结合实际工作电流、结温和浪涌条件进行热设计与降额，确保长期可靠工作。