型号:

IR1167ASTRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOIC-8
批次:25+
包装:编带
重量:1g
其他:
-
IR1167ASTRPBF 产品实物图片
IR1167ASTRPBF 一小时发货
描述:栅极驱动IC IR1167ASTRPBF
库存数量
库存:
1894
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.6
2500+
5.41
产品参数
属性参数值
适用AC-DC架构反激式
工作电压12V~18V
MOS耐压200V
开关频率500kHz
模式支持CRM;CCM;DCM
静态电流(Iq)2.2mA
拉电流(IOH)2A
灌电流(IOL)7A
导通时间240ns
关断时间40ns
关断延时40ns

IR1167ASTRPBF 产品概述

一、产品简介

IR1167ASTRPBF 为 Infineon(英飞凌)推出的一款高性能栅极驱动器,适用于反激式(flyback)AC-DC 电源架构。器件面向中小功率开关电源设计,兼顾高开关频率和严格的开关瞬态控制,能够在多种工作模式下稳定驱动高压功率MOSFET。

二、主要参数

  • 适用拓扑:反激式(Flyback)AC-DC
  • 输入工作电压(驱动电源):12 V ~ 18 V
  • 驱动对象最大耐压(MOSFET Vds):200 V
  • 推荐开关频率:500 kHz
  • 支持工作模式:CRM(临界导通模式)、CCM(连续导通模式)、DCM(断续导通模式)
  • 静态电流(Iq):2.2 mA
  • 拉电流(IOH,源电流):2 A
  • 灌电流(IOL,汇电流):7 A
  • 导通(上升)时间:240 ns
  • 关断(下降)时间:40 ns
  • 关断延时:40 ns
  • 封装:SOIC-8

三、关键特性与优势

  • 高电压兼容:适配200 V 级别功率MOSFET,满足反激式初级侧高压应力要求。
  • 高速响应:500 kHz 频率下仍能保持较短的开/关时间,适合高密度电源设计。
  • 强驱动能力:2 A 源、7 A 汇的输出能力保证了对栅极快速充放电,有利于降低开关损耗。
  • 低静态功耗:2.2 mA 的静态电流有助于降低待机损耗,适合低功耗/高效率应用。
  • 多模式支持:兼容 CRM、CCM、DCM 三种工作模式,便于在不同负载和控制策略下使用。

四、典型应用场景

  • 中小功率反激式 AC-DC 适配器与充电器(快充/普通充电器)
  • 通用开关电源(SMPS)初级侧开关器件驱动
  • LED 驱动电源和工业电源模块
  • 需要在高频、高效率场景下实现紧凑设计的消费与工控产品

五、设计与使用建议

  • 电源与去耦:驱动VCC应稳定在12–18 V范围内,靠近芯片放置低等效串联电阻(ESR)的去耦电容(例如0.1–1 μF并联1–10 μF)。
  • 栅极电阻:为控制开关振铃与峰值电流,建议在栅极与驱动输出之间添加合适的串联电阻(常用10–50 Ω,根据系统EMI与开关损耗权衡)。
  • 引脚布局与走线:驱动输出、MOSFET 栅极和源引线要尽量短而粗,减少寄生电感;地线采用星形或整平面结构,敏感信号远离开关节点。
  • 保护与吸收:建议在开关管并联RC或吸收器保护尖峰,必要时加稳压件或钳位网络保护栅源电压。
  • 热管理:在高占空比或高频场景下注意器件和MOSFET的散热,合理设计散热路径与铜箔面积。

六、封装与可靠性

  • 封装形式为 SOIC-8,适合自动化贴装;在高温或高振动环境下需考虑焊点强度与散热条件。
  • 推荐在PCB布局阶段预留热扩散区域,并按实际应用验证热升参数,确保长期可靠性。

七、选型与替代建议

在需要更高集成功能(如内置保护、软启动或高压隔离)时,可考虑功能更丰富的驱动或配套控制器;若工作电压或驱动能力需求更高,可比较同类品牌的高压栅极驱动器以满足特殊应用要求。

总之,IR1167ASTRPBF 以其高驱动电流、快速开关性能和低静态功耗,适合用于反激式AC-DC设计中对开关性能和效率有较高要求的场合。设计时注意去耦、走线和吸收钳位等基本细节即可发挥其优势。