HSBB0012 产品概述

一、概述

HSBB0012 是华朔（HUASHUO）推出的一款单片 N 沟道功率 MOSFET，适用于中等电压与中大电流的开关与线性应用。器件额定漏--源电压 100V，连续漏极电流 20A，兼顾耐压与导通性能，封装为 PRPAK3x3-8L，适合 PCB 安装并具备良好的热性能。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换、马达驱动、功率管路保护及电源管理等。

二、主要参数

• 器件类型：N 沟道 MOSFET
• 漏源电压 Vdss：100 V
• 连续漏极电流 Id：20 A
• 导通电阻 RDS(on)：105 mΩ @ Vgs=10 V, Id=5 A
• 阈值电压 Vgs(th)：≈1 V（开启门槛）
• 总栅极电荷 Qg：5.4 nC @ Vgs=10 V
• 输入电容 Ciss：310 pF @ 50 V
• 反向传输电容 Crss：3.7 pF @ 50 V
• 最大耗散功率 Pd：21 W
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 品牌/型号：HUASHUO（华朔） / HSBB0012
• 封装：PRPAK3x3-8L

三、关键特性

• 中等导通电阻与较低栅极电荷的平衡：RDS(on) 105 mΩ 配合 Qg 5.4 nC，兼顾导通损耗与开关损耗，适合开关频率中等的电源和电机驱动场合。
• 宽温度范围与可靠性：额定工作温度覆盖 -55 ℃ 至 +150 ℃，适应工业级环境。
• 低 Crss（3.7 pF）：有利于降低 Miller 效应，引起的驱动复杂度和开关损耗。

四、典型应用

• 48V/12V DC-DC 降压转换器的主开关或同步整流管
• 中小功率电机驱动、无刷电机控制器（BLDC）
• 电子开关、负载切换、反向保护与电源管理模块
• 逆变器与电源保护电路（需关注能量吸收与散热）

五、设计与使用建议

• 栅极驱动：为达到标称 RDS(on)，建议 Vgs=10 V 驱动；Vgs(th)≈1 V 意味着器件对逻辑电平有一定响应，但建议使用专用栅极驱动器以减小开关损耗和避免线性区发热。
• 开关整定：Qg=5.4 nC 在中频应用下需匹配合适的驱动电流与门极电阻（Rg）以控制开关过渡时间和振铃。
• 热管理：Pd=21 W 为封装在理想条件下的耗散能力，实际电路中需通过 PCB 铜箔散热、加大散热区或外接散热片来降低结温；在高占空比或高环境温度下应进行器件结温和功率损耗的详细热仿真与退让设计。
• 抗电压冲击：在高 dV/dt 或感性负载（如电机、继电器）场合，建议增加 TVS、RC 吸收器或缓冲电路以保护器件免受瞬态过压。
• PCB 布局：尽量缩短电流回路、增大散热铜箔、独立门极回路并在驱动端加去耦以抑制寄生振荡。

六、封装与采购信息

HSBB0012 采用 PRPAK3x3-8L 封装，体积小、适合自动贴装生产，管脚引出利于 PCB 散热与电流承载。单件样品或批量采购建议向华朔授权分销或经销商索取完整数据手册（含极限参数、热阻及典型特性曲线）以便进行可靠性评估与电路验证。如需样品测试或获得封装与符号库文件，请联系供应商获取技术支持与最新文档。