型号:

S-LMBT4403WT1G

品牌:LRC(乐山无线电)
封装:SC-70
批次:25+
包装:未知
重量:-
其他:
-
S-LMBT4403WT1G 产品实物图片
S-LMBT4403WT1G 一小时发货
描述:-
库存数量
库存:
5679
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0871
3000+
0.0692
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE)30@0.1mA,1.0V
特征频率(fT)200MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))750mV@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个PNP

S-LMBT4403WT1G 产品概述

一、概述

S-LMBT4403WT1G 是乐山无线电(LRC)生产的一款表面贴装 PNP 晶体管,封装为小型 SC-70,适用于高速开关与一般放大场合。器件在小体积下提供较高的集电极电流能力与较快的特征频率,适合对空间与开关速度有要求的移动终端与消费电子应用。

二、主要参数亮点

  • 晶体管类型:PNP
  • 最大集电极电流 Ic:600 mA
  • 集—射极击穿电压 Vceo:40 V
  • 耗散功率 Pd:150 mW(封装散热受限)
  • 直流电流增益 hFE:约30(Ic=0.1 mA,VCE=1.0 V)
  • 特征频率 fT:200 MHz(高频性能良好)
  • 集电极截止电流 Icbo:100 nA(漏电小)
  • 集电极饱和电压 VCE(sat):约750 mV(IC=500 mA,IB=50 mA)
  • 射基极击穿电压 Vebo:5 V
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃

三、典型应用场景

  • 小信号高频开关与放大电路
  • PNP 侧驱动与互补放大器电路
  • 便携式设备中对空间要求严格的功率/驱动模块
  • 通信用射频前端(受限于封装散热条件)

四、使用与注意事项

  • 虽然 Ic 峰值可达 600 mA,但 SC-70 小封装的耗散功率仅 150 mW,长期大电流工作需注意热结点与PCB散热,建议在实际电路中进行热仿真与适当限流。
  • 基—射击穿电压仅 5 V,避免反向施加过高电压以防损坏。
  • VCE(sat) 在高电流下接近 0.75 V,驱动时需考虑功耗与电压裕量。
  • 具体引脚排列、封装尺寸及典型电路参数请参照厂方完整数据手册以确保正确焊接与匹配。

五、采购与封装信息

品牌:LRC(乐山无线电);型号:S-LMBT4403WT1G;封装:SC-70;单件数量:1 个。此器件适合自动贴装生产与小批样板调试使用。

如需器件的完整数据手册、引脚图或在特定电路中的仿真建议,可提供电路条件后进一步给出匹配建议。