L8050PLT1G 产品概述

一、产品简介

L8050PLT1G 是乐山无线电（LRC）出品的一款小封装 NPN 功率三极管，采用 SOT-23 表面贴装封装，适用于便携电子设备中的开关、驱动和小功率放大场合。器件在保证较高集电极电流能力的同时，具备较低的漏电与良好的直流增益，适合空间受限且需中等电流驱动的应用。

二、主要规格

• 晶体管类型：NPN
• 最大集电极电流 Ic：800 mA
• 集射极击穿电压 Vceo：25 V
• 最大耗散功率 Pd：225 mW
• 直流电流增益 hFE：100（在 Ic=100 mA、VCE=1 V 时）
• 集电极截止电流 Icbo：150 nA
• 集电极饱和电压 VCE(sat)：约 500 mV（在 Ic=800 mA、Ib=80 mA 时）
• 射基极击穿电压 Vebo：5 V
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：SOT-23

三、性能特性

• 中等电流能力：最大 Ic 可达 800 mA，适合驱动小电机、继电器线圈和功率指示负载。
• 高增益：在 100 mA 工作点 hFE≈100，有利于减少基极驱动电流。
• 低漏电：Icbo 仅 150 nA，适合对静态漏电敏感的电路。
• 紧凑封装：SOT-23 便于表面贴装，利于高密度 PCB 布局。

四、典型应用

• 电源管理与负载开关（低压快速开关）
• 小功率音频放大输出级、信号驱动器
• 电池供电设备中的驱动与保护电路
• 中小功率继电器/继电器驱动

五、封装与热管理

SOT-23 封装体积小，使得器件的功耗散热受限。额定耗散功率 Pd=225 mW（在标准测试条件下），在实际设计中应通过增大铜箔面积、增加散热层或多层板过孔来改善热扩散，并按实际环境温度进行功率降额设计以保证可靠性。

六、使用建议与注意事项

• 基极驱动需留足够电流以保证器件进入饱和（参考 VCE(sat) 条件下的 Ib）。
• 避免基-射极施加超过 Vebo 的反向电压（5 V），以免损坏结结构。
• 在高电流工作点注意 PCB 散热设计并做好热仿真与验证。
• 对静态或低电流应用，可利用其低 Icbo 优势，但仍需防止环境温度升高导致漏电上升。

七、订购信息

型号：L8050PLT1G，品牌：LRC（乐山无线电），封装：SOT-23。购买时请向供应商确认包装形式（散装/卷装）及最新规格书以获得完整的电气特性与应用指导。