LBZT52B4V3T1G 产品概述

一、概述

LBZT52B4V3T1G 是乐山无线电（LRC）生产的独立式稳压二极管，标称稳压值为 4.3V（允许范围 4.17V～4.43V），采用 SOD-123 小外形封装。该器件为小功率轨到地的基准/钳位器件，适用于对体积和成本敏感的低功耗电路中提供稳定参考电压或过压保护。

二、主要参数

• 稳压值（标称）：4.3V；允许范围：4.17V～4.43V
• 反向电流 Ir：5 μA @ 1.0V（反向泄漏）
• 最大耗散功率 Pd：500 mW（注意需良好热管理）
• 动态阻抗 Zzt：100 Ω；击穿区阻抗 Zzk：1 kΩ
• 工作结温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：SOD-123，独立式器件

三、典型应用

• 低功耗模拟电路的局部参考电压（如传感器前端、比较器偏置）
• 作为输入或信号线的小电流钳位/过压保护
• 电池供电系统中对低压差稳压的补充与保护
• 通信设备、家用电子与便携式设备中常见的简单稳压或基准需求

四、使用注意事项

• 由于最大耗散功率仅 500 mW，实际使用时需按环境温度和散热条件对最大电流限流（建议通过串联限流电阻计算工作电流，确保 Pd 不被超过）。
• 反向泄漏随温度上升明显增加，高温环境下需评估漏流对电路的影响。
• 动态阻抗较高，若对输出纹波或负载调整率要求严格，建议在稳压管前并联滤波或选择低阻抗型号。
• 避免长期在靠近 Pd 上限工作以延长可靠性。

五、封装与焊接建议

SOD-123 为常用小型贴片封装，适合回流焊工艺。焊接时注意管脚焊盘尺寸与热量匹配，避免过热导致器件热应力或密封损伤。贴装后建议留出散热通道或靠近散热较好的区域。

六、选型与替代

在需要更低动态阻抗、更高功耗或更精确稳压的场合，可考虑更高功率或精密基准芯片。若对空间和成本敏感且电流很小，LBZT52B4V3T1G 是经济且实用的选择；替代时请比对稳压范围、Pd、Zzt、Ir 与工作温度等关键参数。