S-LBTN180Z4TZHG 产品概述

一、产品简介

S-LBTN180Z4TZHG 是乐山无线电（LRC）生产的一款通用型 NPN 双极晶体管，采用 SOT-223 封装，面向小功率开关与放大场合。器件额定集电极电流为 1A，集-射击穿电压 80V，适合中等电压等级的开关与线性应用。器件规格均衡，适用于对成本与体积有要求的应用场景。

二、主要电气参数

• 晶体管类型：NPN
• 最大集电极电流 Ic：1 A
• 集-射击穿电压 Vceo：80 V
• 最大耗散功率 Pd：833 mW（典型指标，实际请参见详细资料并考虑散热条件）
• 直流电流增益 hFE：63（测试条件 Ic=5 mA、Vce=2 V）
• 特征频率 fT：180 MHz（适合中高频小信号放大）
• 集电极截止电流 Icbo：10 μA（典型）
• 集-射极饱和电压 VCE(sat)：典型 ≤500 mV（标注条件 500 mA、50 mA）
• 射-基击穿电压 Vebo：5 V
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：SOT-223（数量：1 只/件）

三、性能特点

• 电压耐受良好：Vceo 80 V，可在较高电压工况下可靠工作，适合通用开关应用；
• 中等至高频特性：fT 180 MHz，适用于小信号放大（如射频前级、驱动级）与快速开关；
• 较低饱和压：在指定条件下 VCE(sat) 约 500 mV，有助于降低开关损耗；
• 宽温域可靠性：-55 ℃ 至 +150 ℃ 的工作温度范围，适合工业级环境；
• SOT-223 封装便于 PCB 安装并有利于散热改进。

四、典型应用场景

• 开关电源与稳压器的次级开关或驱动器；
• 继电器、步进电机驱动与功率开关（低至中等电流）；
• 音频前级放大与小信号放大电路；
• 接口电平移位、缓冲驱动与通用开关场合；
• 通信设备的中频/低端射频放大（视具体工作频率与增益要求）。

五、使用建议与注意事项

• 开关时的基极驱动：若器件用于饱和开关状态，建议采用合适的基极余量（一般按强迫 βf ≈ 10~20 估算），例如在 500 mA 集电极电流下，基极驱动电流应在几十 mA 量级（需结合驱动器能力和热耗考虑）；
• 功率与散热：标称 Pd 为 833 mW，实际耗散能力与 PCB 散热条件、环境温度有关。建议在高电流或持续功耗场合配合大面积铜箔或外部散热片，并做降额设计；
• 极限参数遵循：避免超过 Vceo=80 V、Vebo=5 V 等极限值，击穿会造成不可逆损伤；
• 泄漏与噪声：Icbo 典型为 10 μA，低漏电流利于高阻电路，但在高温下漏电可能上升，注意热稳定性设计；
• 引脚与封装：SOT-223 对比 SOT-23 有更好的散热通道，但不同厂家的引脚排列可能有所差异，安装前请参阅官方数据手册确认引脚定义与焊接建议。

六、封装与采购建议

SOT-223 封装兼顾小型化与散热性能，适合表贴工艺。选型时若需更大功耗处理能力或更高电流能力，可考虑 TO-220、DPAK 等更大封装。购买时请确认原厂型号、批次和完整的数据手册，必要时索取样品验证电气与热性能，避免直接替换而不做验证。

总结：S-LBTN180Z4TZHG 是一款参数均衡、适用于中低功率开关与小信号放大的 NPN 晶体管。若用于持续大电流或高功耗场合，应重视散热设计与基极驱动匹配，以保证器件在额定范围内稳定工作。若需更详细的电气特性曲线、封装引脚图及热阻参数，请参考厂商完整数据手册。