XB5353A 产品概述

一、基本特性

XB5353A 是赛芯微（xysemi）推出的一款用于单节锂电池的保护芯片，封装形式为 SOT-23-5。芯片工作电压范围为 2V ~ 6V，充电饱和电压为 4.3V，放电截止电压为 2.4V。支持从 0V 起对深度放电的电池进行安全充电，静态电流（Iq）仅为 1.5μA，适合要求超低待机功耗的便携与物联网设备。工作温度范围为 -40℃ ~ +85℃，能在较宽温度区间内稳定工作。

二、功能概述

XB5353A 面向单节锂电池保护管理，结合低功耗特性与常用保护功能，能在电池使用与充电周期中提供必要的安全保障。典型功能包括但不限于：

• 过充、过放保护（保护电池避免过度充放电）；
• 支持 0V 电池唤醒充电，方便深度放电后的恢复；
• 低静态电流设计，延长电池自放电期间的待机寿命；
• 适配单节锂电池的充放电管理（充电终止电压 4.3V，放电截止 2.4V）。

（注：具体保护阈值、延时与过流保护参数请参见正式规格书，以便与电池及系统要求匹配。）

三、典型应用场景

XB5353A 适合用于需要单节锂电池保护、并且对低静态功耗和尺寸有要求的应用，例如：

• 便携式消费电子：蓝牙耳机、手持遥控器、小型便携音箱；
• 可穿戴与医疗监测设备：智能手环、便携式监测仪；
• 物联网终端：传感器节点、低功耗无线模块；
• 小型充电电源与电池包：单节备用电池管理等。

四、设计与使用建议

• PCB 布局：将旁路电容、取样电阻和 MOSFET（若外接）尽量靠近芯片管脚布置，以降低寄生阻抗并确保保护动作稳定；
• 电池兼容性：芯片的充电饱和电压为 4.3V，选型时应确认所用电池化学体系与允许的最高充电电压匹配；
• 深度放电恢复：启用 0V 充电功能时，应配合适当的充电限流和监控策略，避免对严重失效的电池盲目充电；
• 热管理：在高温或大电流场景下注意热量分散，SOT-23-5 的封装限制了导热能力，必要时使用铜箔加大散热面积。

五、封装与环境指标

• 品牌：xysemi（赛芯微）；
• 封装：SOT-23-5，适合小型化 PCB 设计；
• 工作温度：-40℃ ~ +85℃，满足工业级与消费级广泛应用场景；
• 适配电池：单节锂电池（Li-ion / LiPo 等常见锂体系），支持 0V 充电恢复。

六、优势与选型参考

XB5353A 的主要优势在于低静态电流（1.5μA）、支持 0V 唤醒充电以及宽工作电压范围（2V~6V），适合长期待机且需要深度放电恢复能力的单节锂电池系统。选型时建议结合：

• 所用电池化学和最大允许充电电压（4.3V）；
• 系统对待机功耗的极限要求；
• 实际应用的充放电电流与散热条件。

欲获得完整电气特性曲线、引脚定义和典型电路图，请参阅厂商详细规格书，以便进行精确设计与风险评估。