XB8089D 产品概述

一、概述

XB8089D 是赛芯微（xysemi）面向单节锂电池保护应用设计的一款保护芯片，采用 SOIC-8-EP 封装，工作温度范围宽（-40℃ 至 +85℃），静态电流极低（Iq = 3 μA），适合对功耗敏感且要求可靠电池保护的便携设备与物联网终端。芯片支持将电池放电至 0V 后仍能安全充电（0V 电池充电支持），并以 4.25V 为充电饱和电压设计，放电截止电压为 2.5V，专为单节锂离子/锂聚合物电池的保护与管理提供稳定可靠的解决方案。

二、主要特性

• 支持单节锂电池（1 节）保护方案
• 工作温度范围：-40℃ ~ +85℃
• 极低静态电流：Iq = 3 μA，利于延长整机待机时间
• 放电截止电压（下限保护）：2.5V
• 充电饱和电压：4.25V（适配需此电压标称的电芯或充电策略）
• 支持 0V 电池充电，即电池被放至 0V 后仍可被充电唤醒
• 芯片类型：保护芯片（电池保护/管理功能）
• 封装：SOIC-8-EP（带裸露散热焊盘）

三、功能说明

XB8089D 提供完整的电池保护管理功能，覆盖常见的保护需求：

• 过充保护（OVP）：在电池电压高于设定门限时切断充电路径，保护电芯安全
• 过放保护（UVP）：当电池电压低于 2.5V 时切断放电路径，防止电池过放损伤
• 过流/短路保护（OCP/SCP）：在过大放电电流或短路时限制或切断输出，保证系统与电池安全
• 充电唤醒（0V 充电支持）：允许对已被完全放空的电池进行充电恢复，便于现场维护或长时间停用后再次启用
• 低功耗待机：3 μA 的极低静态电流降低自放与系统待机功耗 注：具体的阈值、延时与触发逻辑以芯片实际数据手册为准，在设计中应参考厂商推荐配置与外部器件配合使用。

四、典型应用场景

• 可穿戴设备（手环、健康监测）——对待机功耗与体积敏感
• 物联网终端（无线传感器、远程节点）——长寿命电池供电要求严格
• 智能家居与遥控器——单节锂电池供电系统
• 工业便携设备与测量仪表——宽温度范围需求
• 小型充电产品与一次性唤醒场景——支持 0V 唤醒充电

五、设计注意事项

• 充电器匹配：芯片充电饱和电压为 4.25V，系统中使用的充电管理器或充电器应与此电压匹配，或在系统设计中考虑电压差引起的充电策略调整。
• 0V 充电安全：支持 0V 充电功能并不等同于任意条件下直接给 0V 电池大电流充电。推荐采用带限流与评估的充电器，并遵循电池厂商关于激活/恢复充电的建议流程。
• PCB 布局：SOIC-8-EP 的裸露散热焊盘应与 PCB 的接地铜箔良好焊接，便于散热与稳定参考地。关键电源与感测电阻附近走线应尽量短且粗，以减小寄生阻抗与噪声。
• 外部器件匹配：若系统需要实现更高的放电电流或更精确的过流检测，应按照数据手册选择合适的分流电阻、外置 MOSFET（若需要）与滤波/去耦网络。
• 温度影响：工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃，在极端温度下电池化学特性与保护门限可能发生偏移，关键应用请进行温度下的可靠性验证。

六、封装与热管理

XB8089D 使用 SOIC-8-EP 封装，底部带裸露散热焊盘（Exposed Pad），有利于增强热导与电气接地。推荐在 PCB 设计中：

• 为裸露焊盘设计相应的焊盘与多层过孔散热通道
• 在焊接工艺中保证良好焊锡湿润以获得可靠的热、电连接
• 为芯片附近提供足够的散热空间并遵循厂商推荐尺寸与焊接规范

七、优势总结与使用建议

XB8089D 以低功耗、宽温度与 0V 唤醒充电支持为主要优势，适合对续航与可靠性有高要求的单节锂电池系统。4.25V 的充电饱和电压设计适配特定电芯与充电策略。建议在方案确认时获取该芯片的完整数据手册以核实各项保护阈值、时序及引脚定义，并参考厂商的参考设计与 PCB 布局示例以保证系统稳定可靠。

如需进一步的电气参数、引脚图、典型应用电路与参考布局，请查阅厂商提供的 XB8089D 数据手册或联系赛芯微技术支持。