B1040A1 产品概述

一、产品简介

B1040A1 为长晶（CJ）出品的肖特基整流二极管，额定直流反向耐压 40V、整流电流 1A，封装为超小型 DFN1006-2L。典型正向压降 Vf = 610mV（IF = 1A），直流反向电流 Ir = 40µA（VR = 40V），非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 7A，工作结温范围 -40℃ ~ +125℃。器件适合空间受限、要求低导通损耗和快速响应的低压电源应用。

二、主要特性

• 低正向压降（Vf ≈ 0.61V@1A），减少导通损耗，提高效率。
• 肖特基结构，反向恢复极小，适合开关频率较高的电源环节。
• 小体积 DFN1006-2L，低剖面、节省 PCB 面积。
• 允许短时浪涌 Ifsm = 7A，用于吸收瞬态冲击。
• 常温下反向漏电为 40µA@40V，需在高温条件下关注漏电增加。

三、电气与热性能要点

在 1A 工作点上，器件的瞬时功耗约为 P = Vf × IF ≈ 0.61W，长期稳定工作需靠良好 PCB 散热（加大焊盘铜厚和铺铜面积）。DFN 小封装热阻相对较大，建议在布局上为阴极/焊盘处提供散热铜箔并使用多层铜通孔以降低结-环境温升。反向电流随温度上升明显增加，设计时应考虑温度对漏电和功耗的影响并进行适当降额。

四、典型应用场景

• 低压开关电源的次级整流与续流回路；
• 电池管理与充电路径反向保护（电源 OR-ing）；
• 便携设备、移动电源、消费电子的功率路径管理；
• 高频 DC-DC 变换器中的快速整流或钳位电路；
• 需要节省空间且对导通损耗敏感的电源模块。

五、选型与布局建议

• 若工作环境或浪涌频繁，考虑选择更高 Ifsm 或更大封装的型号；
• 对持续接近 1A 的电流，建议按热设计对器件进行电流降额（例如保证结温低于额定值），并验证 PCB 散热能力；
• PCB 布局时扩大焊盘、增加铜厚并靠近地/电源平面，以改善热扩散；
• 组装遵循元件制造商推荐的回流焊工艺曲线，避免过高峰温和长时间高温，防止封装应力或性能退化。

六、可靠性与使用注意

器件工作温度上限为 +125℃，长期在高温高电压下运行会加速漏电和老化。肖特基二极管对瞬态电压敏感，必要时配合 TVS 或限流电路保护。存储和焊接过程中注意防潮与静电防护，确保良好焊接质量以保证导热和电气接触。

总结：B1040A1 以其低 Vf、快速响应和微小封装，适合对效率和空间有严格要求的低压功率应用，但在热管理与高温漏电方面需在电路设计和布局上给予充分考虑。