IDH06G65C6 产品概述

一、产品简介

IDH06G65C6 为英飞凌（Infineon）推出的 SiC 材料肖特基整流二极管，属于独立式（单个通道）器件，采用传统 THT 贯穿孔封装的 TO-220-2 形式。器件面向中高压、高效率电源应用，关键参数包括：整流电流 16A、正向压降 Vf = 1.25V（测量条件 6A）、直流反向耐压 Vr = 650V、反向电流 Ir = 600nA（测试条件 420V），器件额定功耗约 54W。

二、主要电气特性

• 高耐压：650V 反向耐压能够满足大多数工业电源和中高压变换场景的要求；
• 低正向压降：在 6A 条件下 Vf 约为 1.25V，有利于降低整流损耗与器件发热；
• 低反向漏流：420V 时 Ir 仅 600nA，表明在高压稳态下漏电损耗小，有助于提高轻载效率和温升控制；
• 电流能力：标称整流电流 16A，可满足较大输出电流或并联余量的设计需求；
• 封装热能力：TO-220-2 结构易于安装散热片，额定功耗 54W（需结合实际散热条件与环境） 。

三、性能优势与适用场景

SiC 肖特基器件相比传统硅肖特基具备更高的耐压和更低的导通损耗，开关损耗也更小，适合频率较高或要求高效率的电源设计。典型应用包括开关电源整流、功率因数校正（PFC）、逆变器和光伏/充电设备的整流环节、以及需要高速整流和低损耗的工业电源与电机驱动回路。

四、散热与安装注意事项

TO-220-2 为贯穿孔/插装式封装，便于安装到标准散热片或机柜面板。器件的热阻与实际直流功率耗散密切相关，54W 为在良好散热条件下的参考额定值。设计时应：确保良好接触的散热片或铜面、必要时使用绝缘垫和导热硅脂、并根据环境温度与散热能力对电流进行热降额；通过合适的引脚支撑与焊接工艺保证长期机械可靠性。

五、设计与使用要点

• 考虑浪涌和反向恢复：SiC 肖特基具有极小的反向恢复电荷，适合高速开关，但仍需为浪涌电流和热冲击做裕量设计；
• 并联与冗余：若需更高电流，可并联器件，但应做好电流均分与热均衡措施；
• PCB 与走线：尽量缩短高电流回路走线，增强散热铜面积；THT 引脚便于机械固定与散热连接；
• 测试条件注意：器件参数基于给定测试点（如 Vf@6A、Ir@420V），实际应用中请参照完整数据手册进行仿真与热设计。

六、封装与可靠性

TO-220-2 封装兼顾散热与安装便利，适用于批量装配与维修更换。作为英飞凌产品，制造与质量控制符合工业级可靠性标准，适合长期运行的电源系统，但最终可靠性应由系统级热设计与应力测试验证。

七、总结

IDH06G65C6 是一款面向中高压电源的 SiC 肖特基整流二极管，凭借 650V 的耐压、低正向压降和极低的反向漏流，可在提升系统效率、降低发热与提高开关性能方面带来明显优势。设计时需重视散热、浪涌裕量与系统级匹配，结合器件完整数据手册可获得最佳应用效果。