IPP045N10N3GXKSA1 产品概述

一、概述

Infineon IPP045N10N3GXKSA1 是一颗功率型 N 沟道 MOSFET，额定漏源电压 Vdss = 100V，连续漏极电流 Id = 137A，导通电阻 RDS(on) = 4.5 mΩ（Vgs=10V, Id=100A），器件耗散功率 Pd = 214W，封装为常用的 TO-220-3。该器件适用于中高电压且需大电流的开关和功率处理场合。

二、主要电气参数

• 漏源电压：100 V
• 连续漏极电流：137 A
• 导通电阻：4.5 mΩ @ Vgs = 10 V, Id = 100 A
• 阈值电压：Vgs(th) = 3.5 V @ 150 μA（注意：该阈值并非充分保证低 RDS(on)，推荐驱动电压 10 V）
• 总栅电荷 Qg = 117 nC @ 10 V；输入电容 Ciss = 8.41 nF；输出电容 Coss = 1.61 nF；反向传输电容 Crss = 41 pF @ 50 V

三、开关与驱动特性

Qg 较大（117 nC），说明驱动时需要较高瞬态电流；为获得最低导通电阻并减小开关损耗，建议使用 10 V 有源栅极驱动器。较大的 Ciss 意味着驱动能量和驱动器带宽要匹配；而较小的 Crss 有利于降低 Miller 效应对开关过程的影响。

四、热管理与封装

TO-220-3 便于安装散热片和实际工程维修。器件耗散功率为 214 W，应结合具体工作点、频率和环境温度进行功率热沉设计。推荐使用合适散热片、良好散热界面材料以及必要的风冷措施，并参考正式数据手册进行温度-功率降额计算。

五、典型应用

• 同步整流和功率级（DC-DC 降压转换器）
• 开关电源（SMPS）、服务器与电信电源模块
• 工业驱动、48V/24V 轨供电与负载开关
• 电池管理与中间总线供电系统

六、设计注意事项

• 推荐栅极驱动电压 10 V，避免以阈值电压驱动以确保低 RDS(on)；
• 由于 Qg 较大，选用能提供高峰值电流的驱动器或并联驱动通道，必要时加入合适栅阻（以控制 dv/dt 与振荡）；
• PCB 布局需尽量缩短高电流回路、减小环路电感，输入输出旁路电容靠近器件；
• 考虑开关过冲、反向恢复和 EMI，视情况采用 RC 吸收、钳位或磁性缓冲。

七、总结

IPP045N10N3GXKSA1 在 100V 电压等级下提供低导通电阻与高电流能力，适合需高效率与高功率密度的中高压功率转换场合。设计时应重点关注栅极驱动能力与热管理，以充分发挥其低 RDS(on) 与高载流特性。正式设计和可靠性评估请参照 Infineon 官方数据手册与应用说明。