H1G 开关二极管（YANGJIE 扬杰，SOD-123）

一、产品概述与核心卖点

H1G 为扬杰（YANGJIE）推出的开关二极管，额定反向耐压 400V、整流电流 1A，采用 SOD-123 表面贴装封装。该器件面向中低功率开关电源、开关保护与整流场景，具备较低的正向压降（Vf=1.7V @ 1.0A）、快恢复特性（Trr≈75ns）以及良好的浪涌承受能力（Ifsm=30A，非重复峰值），在体积、性能与成本之间提供平衡的解决方案。

二、主要电气与热参数（重点速览）

• 正向压降：Vf = 1.7V @ IF = 1.0A（用于估算导通损耗）
• 直流反向耐压：VR = 400V（适用于高压整流/保护）
• 连续整流电流：IF = 1A（封装与热设计决定持续工作上限）
• 反向电流：IR ≈ 5μA（典型静态泄漏，随温度上升增大）
• 反向恢复时间：Trr ≈ 75ns（属于快恢复范畴，适合中高速开关）
• 非重复峰值浪涌电流：Ifsm = 30A（短时抗冲击能力）
• 工作结温：Tj = -55℃ ~ +150℃（宽温度范围，适应工业级环境）

示例热功耗：在 IF=1A 时，器件导通损耗约 Pd = Vf×IF = 1.7W；需按实际 PCB 散热条件计算结温上升并做电流/温度降额。

三、典型应用场景

• 开关电源的次级整流或高压侧快速整流
• 反并联作自由轮回路（flyback、SEPIC 等）
• 输入浪涌抑制与反向保护（耐受瞬态浪涌）
• 小功率桥式整流器或电源滤波后备路径
• 瞬态抑制、续流与钳位应用（受限于反向恢复和Vf）

四、设计与使用建议

• 散热设计：SOD-123 封装散热受限，若长期接近 1A，建议在 PCB 上加大铜箔、设置过孔或使用散热垫以降低结温并做电流降额。
• 开关频率考虑：Trr≈75ns，适用于中等开关频率（数十 kHz 到几百 kHz）；在高频下反向恢复电流可能增加损耗与EMI，必要时考虑更快恢复或肖特基器件。
• 浪涌处理：Ifsm=30A 仅限非重复短脉冲，应避免重复大幅度浪涌；对有较大冷启动浪涌的系统，再加软启动或限流设计。
• 温度与漏电：高温下 IR 会显著上升，需评估在高温工况下的漏电对电路的影响。
• 焊接与存储：按照常规 SMD 工艺规范回流焊；存储与处理按一般潮湿敏感器件要求，避免长时间潮湿暴露。

五、封装、可靠性与选型提示

SOD-123 小体积易于自动贴装，适合空间受限的消费电子与工控产品。选型时如需更低正向压降或更短恢复时间，可比较肖特基或超快恢复二极管；若需承受更大持续电流或更强散热能力，可考虑更大功率封装（SMA、DO-214 等）。最后建议在具体设计中参考完整器件资料（详尽的温度依赖曲线、浪涌脉冲波形下的性能和封装尺寸），并在样机阶段对结温与电磁兼容性进行验证。