US2M 产品概述

一、产品简介

US2M 是晶导微电子推出的一款独立式快恢复/高效率二极管，封装为 SMA，面向中高压整流与开关电源应用。器件在2A工作电流下正向压降仅为1.65V，直流反向耐压高达1kV，兼具低反向漏电与较短反向恢复时间，适合需要高耐压与较好开关性能的电源系统。

二、主要特点

• 高耐压：直流反向耐压 Vr = 1kV，适用于高压整流与阻断场合。
• 低正向压降：Vf = 1.65V @ 2A，导通损耗较低（在2A时 P ≈ 3.3W），可提升整机效率。
• 低漏电：反向电流 Ir = 5 μA @ 1kV，提升高压下的静态性能与可靠性。
• 快恢复：反向恢复时间 Trr = 75 ns，有利于降低开关损耗与减小电磁干扰。
• 抗浪涌能力：非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 50A，满足启动或突发浪涌保护需求。
• 宽温度范围：工作结温 -55℃ ~ +150℃，适应工业级温度环境。
• 封装与安装：SMA 表面贴装，便于自动化贴片与批量生产。

三、典型应用

• 开关电源（SMPS）中的输出整流与二次侧整流。
• 高压整流回路及整流桥的单元替换。
• 电机驱动与逆变器中的自由轮二极管。
• 光伏逆变器、工业电源、UPS 与充电设备的高压模块。
• 开关管的回复/钳位二极管与浪涌吸收回路。

四、设计与使用建议

• 热管理：2A 连续时正向损耗约 3.3W，应通过良好焊盘散热与铜箔面积设计来降低结温，必要时进行热仿真与实测验证。
• 开关频率：Trr = 75ns 表现适合中高频开关应用，仍需根据具体拓扑与驱动条件考量开关损耗与应力。
• 浪涌保护：Ifsm = 50A 能承受短时浪涌，但在频繁冲击场合需采取限制电阻或增加吸收元件。
• 焊接工艺：遵循SMA封装的焊接温度及回流曲线，避免长时间高温以保证器件可靠性。
• 安装注意：高压应用需保证合适的爬电距离与绝缘措施，防止表面放电或沿面爬电。

五、主要规格参数（概要）

• 品牌：晶导微电子
• 型号：US2M
• 封装：SMA（表面贴装）
• 正向压降：1.65V @ 2A
• 整流电流：2A
• 直流反向耐压：1kV
• 反向电流：5 μA @ 1kV
• 反向恢复时间：75 ns
• 非重复峰值浪涌电流：50A
• 工作结温：-55℃ ～ +150℃

US2M 以其高耐压、低漏电与快恢复特性，为需要在高压及中高频条件下保持高效率与可靠性的电源设计提供了经济且易用的解决方案。若需替换方案或封装兼容建议，可提供电路样例与布板要点以便快速验证与量产。