型号:

1N4448WS

品牌:晶导微电子
封装:SOD-323W
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
1N4448WS 产品实物图片
1N4448WS 一小时发货
描述:快恢复/高效率二极管 独立式 1.25V@150mA 75V 250mA
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0379
3000+
0.0301
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)75V
整流电流250mA
反向电流(Ir)2.5uA@75V
反向恢复时间(Trr)4ns
工作结温范围-65℃~+150℃@(Tj)
耗散功率(Pd)200mW
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)4A

1N4448WS 产品概述

一、简介

1N4448WS 是晶导微电子推出的一款独立式快恢复/高效率二极管,采用小型 SOD-323W 封装,面向高速开关和信号整流场景。器件在广泛温度范围内工作可靠(结温 Tj:-65℃ 至 +150℃),结合低反向漏电和快速恢复特性,适合对体积、速度和功耗有要求的便携及消费电子产品。

二、关键参数

  • 直流整流电流:250 mA(连续工作)
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):4 A
  • 直流反向耐压(Vr):75 V
  • 正向压降(Vf):1.25 V @ 150 mA
  • 反向电流(Ir):2.5 μA @ 75 V
  • 反向恢复时间(Trr):4 ns(典型)
  • 最大耗散功率(Pd):200 mW
  • 封装:SOD-323W(独立式)

三、主要特性与优点

  • 快恢复:Trr 约 4 ns,适用于高频开关和脉冲应用,可显著降低开关损耗与反向恢复引起的干扰。
  • 低漏电:在 75 V 反向电压下仅约 2.5 μA,利于高阻抗或功耗敏感电路的稳态性能。
  • 耐冲击能力强:非重复峰值浪涌电流达 4 A,可承受短时冲击电流,增强抗瞬态能力。
  • 小型封装:SOD-323W 体积小,适合高密度 PCB 布局及便携产品。

四、典型应用

  • 高速逻辑信号钳位与整形
  • 开关电源小功率整流与钳位电路
  • 射频/高频电路的保护和检波
  • 移动设备、消费电子、仪器仪表中对体积与速度有要求的整流与保护场景

五、封装与热特性

SOD-323W 为小型表面贴装封装,便于自动贴装与回流焊工艺。器件最大耗散功率为 200 mW,热阻相对较大,因此在实际布局中建议增加铜箔面积作为散热路径,避免连续大电流与高环境温度下长期工作导致结温过高。高温下需按厂家温度规格进行功率降额。

六、使用建议与注意事项

  • 在高频开关场合,尽量靠近开关元件布置以减少寄生电感引起的过冲。
  • 若长期在接近最大额定电流下使用,应评估 PCB 散热并考虑降额设计。
  • 对于脉冲高能量环境,需确保 Ifsm 不被频繁触发,以免引起器件损坏。
  • 推荐按晶导微电子提供的数据手册与典型波形图选择外围滤波与限流元件。

七、封装与订购信息

器件型号:1N4448WS;品牌:晶导微电子;封装:SOD-323W(独立式)。订货时请参考晶导微电子最新数据手册以获取完整电气特性、封装尺寸及回流焊温度曲线,确保设计与生产一致性。