US1B 产品概述

一、产品简介

US1B 是晶导微电子推出的一款独立式快恢复高效率整流二极管，适用于通用开关电源和功率整流场合。该器件在1A工作电流下正向压降低（Vf≈1.0V@1A），同时具备较短的反向恢复时间，兼顾导通损耗与开关损耗，适合频率较高的开关应用。

二、主要参数与特性

• 正向压降：1.0V @ 1A（典型），低压降有助于降低导通损耗。
• 直流反向耐压：100V，满足中等电压整流需求。
• 整流电流：1A（连续），适合小功率输出或整流桥模块。
• 反向电流：5µA @ 100V，漏电小，有利于降低空载损耗和漏电能耗。
• 反向恢复时间：50ns（典型），快恢复特性能显著降低开关损耗与电磁干扰。
• 非重复峰值浪涌电流：30A，具备较好的浪涌承受能力。
• 工作结温：-55℃ ~ +150℃（Tj），耐高温设计适合工业级应用。
• 封装：SMA，表面贴装，便于自动化贴装与高密度PCB设计。

三、结构与封装说明

SMA 封装体积小、热阻适中，适合常规功率器件布板。独立式封装方便作为单个整流或保护元件使用，也可组成整流桥或并联配置（并联时需注意电流均衡）。

四、典型应用场景

• 开关电源输出整流与回流二极管
• 充电器、适配器、LED驱动电源整流
• 逆变器与电机驱动的小功率回流保护
• 通用工业控制与消费电子的中低压整流场景

五、选型与使用建议

• 依据平均负载电流选择安全裕量，长期使用建议留出20~30%余量；
• 注意热管理与PCB散热，SMA 封装需靠铜箔散热或贴片旁加散热路径；
• 避免频繁超过Ifsm和高能冲击，必要时加入浪涌抑制措施；
• 对更低正向压降或更快响应的场合，可考虑肖特基或更高速的器件。

六、可靠性与注意事项

US1B 在额定温度范围内具有稳定的电气特性。焊接时遵循封装热曲线，避免超温或长时间加热；储存与使用环境应防潮、防腐蚀。晶导微电子提供常规尺寸与批量可溯源出货，适合工程样机验证与量产应用。