UM10B 产品概述

一、产品简介

UM10B 是晶导微电子推出的一款单相整流桥，面向中低功率、高电压整流场景。其典型正向压降为 1.1V（在 800mA 条件下），直流反向耐压达 1000V，直流整流电流 800mA，反向漏电流仅 3µA（@1000V），且能够承受 25A 的非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)。工作结温范围宽广，为 -55℃ 至 +150℃，适应多种工业环境。

二、主要特性

• 高耐压：Vr = 1000V，适用于高电压整流与保护场合。
• 低正向压降：Vf = 1.1V @ 800mA，有利于降低整流损耗与发热。
• 低漏电流：Ir = 3µA @ 1000V，提高高压下的静态效率与可靠性。
• 良好浪涌能力：Ifsm = 25A，可应对启动或短时冲击电流。
• 宽温范围：-55℃ ~ +150℃，满足恶劣环境要求。
• 紧凑封装：UMB 封装，利于表面贴装与空间受限设计。

三、典型应用

• 开关电源与适配器的高压整流段。
• 工业控制与测量设备的交流整流。
• 小功率电机驱动、灯具驱动、家电电子模块。
• 太阳能逆变器/充电器中高压整流或保护电路。
• 需要低漏电或高耐压的特殊电子场合。

四、设计与热管理建议

• 连续 800mA 工作时需关注结温上升，建议在 PCB 上使用较大铜箔散热沟道并靠近焊盘散热。
• 高频开关场合请注意开关损耗及电磁兼容，必要时并联限流或RC 抑制。
• 在高温环境下考虑电流降额，确保 Tj 不超过规格上限并保持足够安全余量。
• 焊接及回流工艺请参照厂家 Datasheet，避免超出封装允许的温度和时间曲线。

五、选型与采购建议

选用 UM10B 时，请确认系统最大反向电压、工作电流及瞬态浪涌是否在器件额定范围内。对于更高连续电流需求，可考虑并联或选择更大额定值器件。采购前建议向晶导微电子索取最新 Datasheet、封装尺寸图与可靠性测试报告，确认是否满足环境与法规（如需要 RoHS/REACH 证明，请咨询厂家）。

如需参考电路图、封装尺寸或样片测试结果，我可以帮助整理关键参数和典型应用电路。