型号:

BSS138W

品牌:ElecSuper(静芯微)
封装:SOT-323
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BSS138W 产品实物图片
BSS138W 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 50V 300mA 1个N沟道
库存数量
库存:
4480
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0756
3000+
0.06
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)360mA
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
栅极电荷量(Qg)650pC@4.5V
输入电容(Ciss)25pF
反向传输电容(Crss)2.2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)9.7pF

BSS138W 产品概述

一、产品简介

BSS138W 是由 ElecSuper(静芯微)推出的一款小功率 N 沟道场效应晶体管(MOSFET),采用 SOT-323 超小封装,适用于对体积和成本敏感的低电流开关与信号电平转换场合。器件具有较宽的工作温度范围(-55℃ 至 +150℃),适应性强。

二、主要参数

  • 漏源耐压 Vdss:60V
  • 连续漏极电流 Id:360mA
  • 导通电阻 RDS(on):1.5Ω(Vgs=10V)
  • 耗散功率 Pd:350mW
  • 阈值电压 Vgs(th):1.0V(ID=250µA)
  • 总栅极电荷 Qg:650pC(在 Vgs=4.5V 测试点)
  • 输入电容 Ciss:25pF;输出电容 Coss:9.7pF;反向传输电容 Crss:2.2pF
  • 封装:SOT-323(超小型)
  • 工作温度:-55℃~+150℃

三、核心特性

  • 小体积、轻重量,便于高密度 PCB 布局与便携设备使用。
  • 较高的耐压(60V)使其能在较大电压差环境下工作,适合电源边缘或保护电路。
  • 较高的导通电阻和有限的耗散功率决定其更适用于低电流或信号级开关,而非大功率传输。
  • 较大的栅极电荷(Qg)提示在快速开关应用中需要考虑驱动能力和开关损耗。

四、典型应用场景

  • 低电流开关与电平位移(尤其在高电压侧控制低电流信号)。
  • 便携式仪器、传感器前端的开/关控制。
  • 反向电压保护、低速开关阵列或多路复用控制。
  • 一般信号隔离与数字接口电平转换(在满足电流限制的前提下)。

五、使用建议与注意事项

  • 由于 RDS(on) 较大(1.5Ω@10V),在设计时应确保通过器件的连续电流和功耗在 Pd 限制内,避免长期高温工作。
  • 栅极电荷较高,驱动时应配合合适的驱动电路或串联栅极电阻,避免因充放电导致的开关延时与额外能量损耗。
  • 在高频或快速开关场合,观察 Ciss/Coss/Crss 带来的耦合与开关过渡影响,必要时增加缓冲或阻尼网络。
  • SOT-323 封装热阻较大,建议在 PCB 设计中优化散热铜箔面积与接地/散热垫,保证器件在额定环境内可靠运行。

六、封装与认可

BSS138W 以 SOT-323 小封装提供,适用于自动贴片生产与高密度组装。ElecSuper(静芯微)品牌提供量产支持与质量一致性,适合对尺寸与成本有严格要求的电子产品设计。