型号:

CK45-B3AD102KYVNA

品牌:TDK
封装:插件,P=5mm
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
CK45-B3AD102KYVNA 产品实物图片
CK45-B3AD102KYVNA 一小时发货
描述:1000pF-±10%-1000V(1kV)-陶瓷电容器-B-径向-圆片式
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.115
1000+
0.104
产品参数
属性参数值
容值1nF
精度±10%
额定电压1kV
脚间距5mm
电容体直径6mm
电容体厚度5mm

CK45-B3AD102KYVNA 产品概述

一、产品简介

CK45-B3AD102KYVNA 为 TDK 系列径向圆片式陶瓷电容器,标称容量 1000pF(1nF),公差 ±10%,额定电压 1000V(1kV)。器件为插件形式,销脚间距(引脚间距)为 5mm,电容体直径约 6mm,厚度约 5mm。结构紧凑、耐压能力高,适用于需要小体积高电压性能的通用电路与脉冲场合。

二、主要电气与机械参数

  • 容值:1000pF(1nF)
  • 精度:±10%(K)
  • 额定电压:1000V DC(1kV)
  • 外形:圆片式陶瓷电容,径向引线(插件)
  • 引脚间距:5.0mm(P=5mm)
  • 电容体尺寸:直径约 6mm,厚度约 5mm
  • 品牌:TDK
  • 封装/安装方式:插件(适合手工焊接、波峰或选择性焊接)

注:本型号为无极性器件,便于在交流或脉冲环境中使用。

三、典型应用

  • 高压电源与高压分压网络
  • 脉冲发生器、脉冲整形与抑制电路(如阻尼、吸收)
  • 高频/射频耦合与旁路(需按频率特性确认适用性)
  • 仪器仪表、医疗设备(高压部分)及老式电子管放大器等需承受较高工作电压的场合
  • 抗干扰与浪涌抑制电路

四、安装与使用建议

  • 考虑到 1kV 的额定电压,布线时需注意爬电距离和绝缘间隙,避免相邻导体出现击穿或泄露路径。
  • 在高压脉冲应用中建议保留适当的电压余量并进行实际环境试验,防止局部放电或老化导致性能下降。
  • 焊接时遵循通用插件元件工艺:推荐的焊接温度与时间请参考装配工艺规范,避免过热导致引线与电容体应力增大。
  • 存储与清洁时避免使用强酸强碱化学品清洗,建议使用中性清洗剂并充分干燥。

五、可靠性与检验

  • 出厂前通常进行外观检验、电容值与容差测试。高压应用建议在应用端做耐压(HI-POT)与漏电流/绝缘电阻测试以保证系统安全。
  • 长期工作在额定电压附近会加速老化,若为关键电路建议适当降额使用或定期更换检查。
  • 对环境振动、热循环有一定抵抗能力,但在强机械应力或极端温度下应做专门评估。

六、订购与替代建议

  • 型号:CK45-B3AD102KYVNA,品牌:TDK,封装:插件 P=5mm。
  • 订购时请确认所需包装形式(散装或托盘)、数量与交期。若需更高精度或不同介质特性,可在同类圆片陶瓷电容中选择不同公差或额定电压型号。
  • 在替代选型时,优先匹配容量、精度、额定电压、引脚间距与外形尺寸,同时关注介质类型与频率响应以确保电路性能一致。

如需电气参数曲线、耐压曲线或样品评估建议,可提供具体应用场景与工作条件,以便进一步给出更精确的选型与使用建议。