BSD3C4R51V160 产品概述

一、产品简介

BSD3C4R51V160 是由 BORN（伯恩半导体）推出的一款双向瞬态抑制二极管（TVS），封装为 SOD-323。该器件专为对 5V 及近似电压等级的数据信号线和电源线提供快速浪涌与静电保护设计，符合多项工业级抗扰度标准，是在空间受限场景下提升系统抗干扰能力的经济型选择。

二、主要特性

• 极性：双向（Bidirectional）
• 反向截止电压 Vrwm：4.5V（建议在 5V 类电路中使用）
• 击穿电压：4.6V
• 钳位电压：18V（典型，8/20μs 浪涌条件下）
• 峰值脉冲电流 Ipp：150A @ 8/20μs
• 峰值脉冲功率 Ppp：2.7kW @ 8/20μs
• 反向电流 Ir：100nA（静态泄漏小）
• 结电容 Cj：350pF（需注意对高速信号的影响）
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）与 IEC 61000-4-5（浪涌）
• 封装：SOD-323（小型表贴）

三、典型应用场景

• USB、串口、I2C、SPI 等短距离数据线的浪涌与静电保护（在容忍结电容的前提下）
• 车载信息娱乐、仪表、传感器接口（需要高瞬态抑制能力的点）
• 工业控制设备的数字/模拟输入保护
• 小型电源模块、充电器及便携设备防护

四、设计与布局建议

• 将 TVS 器件尽量靠近需保护的接口或连接器放置，以降低走线感应与回路阻抗。
• 对高速差分或高带宽信号（如高速 USB/视频）需评估 350pF 的结电容对信号完整性的影响；必要时选择低电容替代品或在信号链中加入缓冲。
• 在高能量脉冲环境中，可与熔断器、温度保险丝或串联电阻配合使用以分担能量并保护 TVS 本体。
• 焊接、回流温度与时长应参考封装规范以避免封装应力或性能退化。

五、可靠性与检验

BSD3C4R51V160 满足 IEC 61000-4 系列抗扰度测试要求，漏电流低（Ir≈100nA），适合对静态功耗敏感的系统使用。量产时建议进行抽样的浪涌冲击与静电放电试验验证系统级保护效果。

六、封装与订购信息

• 品牌：BORN（伯恩半导体）
• 封装：SOD-323，表面贴装，适合集成化与空间受限的应用
• 型号：BSD3C4R51V160

如需进一步的原理图接入方案、PCB 布局示意或可靠性数据（如曲线图、典型 IV/VC 特性曲线与回流焊规范），可提供具体电路应用场景以便给出更精准的工程建议。