MDD SMF28A — 28V 单向 TVS 二极管（SOD-123FL）

一、产品概述

MDD SMF28A 是一款单向硅瞬态电压抑制（TVS）二极管，封装为 SOD-123FL，专为保护电源线与信号线免受瞬态过电压冲击设计。该器件在 10/1000 μs 浪涌波形下具备 200W 峰值脉冲功率吸收能力，适合工业、通信、汽车与消费电子中对抗雷击、电磁脉冲与开关瞬变的场合。

主要规格要点：

• 钳位电压（Vcl）：45.4 V（典型，通常在 Ipp 条件下测得）
• 峰值脉冲功率（Ppp）：200 W @ 10/1000 μs
• 峰值脉冲电流（Ipp）：4.4 A @ 10/1000 μs
• 击穿电压（Vbr）：34.4 V
• 反向截止电压 / 工作电压（Vrwm）：28 V
• 反向漏电流（Ir）：1 μA（常温、Vrwm 条件）
• 极性：单向
• 工作温度范围：-55 ℃ 至 +150 ℃
• 封装：SOD-123FL

二、功能与应用场景

SMF28A 作为单向 TVS 二极管，主要用于在高压瞬变（如雷击、电机启停、继电器开关）发生时将过电压钳位到安全水平，保护下游器件不被破坏。典型应用包括：

• 24V/28V 工业电源保护（PLC、驱动器、工业控制模块）
• 汽车电气系统（车载 24V 总线、传感器供电保护）
• 通信设备的电源与数据接口防护
• 电源模块、充电设备与电池管理系统的浪涌保护

由于 Vrwm = 28 V，SMF28A 特别适合 24V 系统或最高工作电压接近 28V 的场景，能在正常工作时保持低漏电而在浪涌时迅速导通钳位。

三、电气特性与可靠性说明

• 钳位电压 45.4V：在峰值脉冲电流（Ipp = 4.4A，10/1000 μs）条件下的典型钳位值，表示在遭受该幅值浪涌时电路上限压大致为此值，选型时需确认此钳位不会损害被保护电路。
• 击穿电压 34.4V：器件反向进入击穿导电区的电压区间，应高于系统正常直流电压以避免误动作。
• 峰值脉冲功率 200W（10/1000 μs）：该能量吸收能力适合常见的雷击及浪涌事件，但对于更长或更高能量的冲击需采用并联或更高额定能量的保护方案。
• 低反向漏电（1 μA）：在常态下对系统额外功耗影响小，适合对待机电流敏感的应用。

测试规范注意：上述 Ppp、Ipp 与钳位电压通常基于 JEDEC 推荐的 10/1000 μs 浪涌波形测试，实际电路中钳位和能量吸收能力会受到 PCB 布局、连接阻抗与温度的影响。

四、封装与安装要点

SOD-123FL 小型表面贴装封装具有低寄生电感与良好热性能，适用于中小功率 PCB 布局。安装与设计建议：

• 将 SMF28A 尽可能靠近被保护元件的输入端/电源入口放置，以减少走线感应、电感带来的钳位上升。
• 始终确认封装极性，单向器件在 PCB 上应以正确方向（通常有阴极带标识）焊接。
• 为获得最佳浪涌性能，尽量减小到参考地的回流路径阻抗；若保护大电流或频繁脉冲，考虑适当加大焊盘面积利于散热。

五、选型与使用建议

• 若系统正常工作电压 ≤ 24 V，且最大允许瞬态电压接近或低于 45 V，可优先考虑 SMF28A。
• 对于更高能量的雷击或长脉冲（如 8/20 μs 或多次冲击），请评估是否需要更高 Ppp 额定或并联多只器件并结合熔断器/限流元件。
• 在苛刻温度或汽车环境中使用时，注意器件的温升与热循环，确保在最高工作温度下仍满足钳位与能量吸收要求。
• 储存与焊接按常规无铅回流工艺与 ESD 管控流程执行，避免在潮湿或静电环境中损伤器件。

六、包装与订购信息

型号：MDD SMF28A
封装：SOD-123FL
极性：单向
如需批量采购或获取器件封装图、焊盘建议、完整电气特性曲线与失效数据，请联系 MDD 或其授权分销商索取详细数据手册与应用说明。

总体而言，SMF28A 在小型化封装下提供了针对 24V/28V 级别系统的可靠瞬态保护，是工业与车载类电源防护的常用选型。