BR24G32FVT-5E2 产品概述

一、主要特性

BR24G32FVT-5E2 是 ROHM（罗姆）生产的一款 32Kbit 串行 EEPROM，物理组织为 4K x 8bit，采用 2-wire I2C 接口，最高通信速率可达 1MHz。器件工作电压范围宽（1.6V ～ 5.5V），工作温度范围为 -40℃ ～ +85℃，适合多种工业级与消费类电子应用。封装为 TSSOP-8（175mil），便于在 PCB 上紧凑布局并满足表面贴装生产需求。

二、性能与规格概览

• 存储容量：32Kbit（4,096 × 8bit）
• 接口类型：2-wire I2C（兼容常用 I2C 协议，最高可达 1MHz）
• 工作电压：1.6V ～ 5.5V（利于低压系统直接连接）
• 工作温度：-40℃ ～ +85℃（工业温度等级）
• 封装形式：TSSOP-8（175mil）
• 品牌：ROHM（罗姆）

这些规格使 BR24G32FVT-5E2 在电源与温度要求多样的系统中具有良好适配性，既可用于电池供电的低压微控制器平台，也能够在较高工作电压或工业环境下稳定运行。

三、典型引脚与接口说明

在 TSSOP-8 封装中，器件提供实现 I2C 通信和基本控制的引脚组合（典型功能包括 VCC、GND、SDA、SCL、地址选择引脚 A0–A2、写保护 WP 等）。SDA/SCL 为 2-wire 总线信号线，使用时需要在总线上并联上拉电阻；写保护引脚用于软件或硬件级的数据写保护控制（具体电平与行为请参照厂方数据手册）。

四、应用场景

BR24G32FVT-5E2 适用于多种需要非易失性参数存储的场合，包括但不限于：

• 工业控制器中的参数/配置存储
• 仪器仪表的校准数据和日志保存
• 消费电子设备中的序列号、用户设置保存
• 低功耗便携设备的固件配置信息存储
• 汽车电子（非安全关键）与楼宇自动化等环境温度较宽广的场合

其宽电压与工业温度特性使之在电源多样化和温度波动较大的应用中具有优势。

五、设计注意事项

• 电源与去耦：建议在 VCC 与 GND 之间配置 0.1 µF 陶瓷去耦电容，靠近器件引脚放置以保证总线稳定。
• I2C 总线：SDA 与 SCL 需外接合适阻值的上拉电阻（常见范围 10 kΩ～2.2 kΩ，具体取决于系统电源电压与总线电容），要保证在 1MHz 工作速率下满足上升时间要求。
• 写操作管理：为保证写入完整性，应遵循器件写周期和 ACK 机制（建议在写入后使用 ACK polling 或适当延时以等待写周期完成）。
• 引脚保护：若使用写保护（WP）功能，系统设计需明确 WP 的默认状态与控制逻辑，避免误写入导致数据丢失。
• 总线负载与布局：在高速（接近 1MHz）通信时控制总线电容、走线长度与串扰，必要时使用适当的终端或滤波设计。

六、采购与技术支持

BR24G32FVT-5E2 由 ROHM 提供，封装为 TSSOP-8（175mil），在选型与采购时请核对完整料号与包装形式。对于需要详细电气参数、时序图或典型应用电路的场合，建议参考 ROHM 的官方数据手册与应用说明，或联系 ROHM 授权分销与技术支持获取最新资料与样品。

总结：BR24G32FVT-5E2 以其 32Kbit 的适中容量、宽电压与工业级温度特性、以及高速 I2C 接口，适合需要可靠非易失性数据保存的各类电子系统，是一款兼具通用性与稳定性的串行 EEPROM 器件。若需更细的时序参数、写入寿命或封装引脚图，请提供是否需要我帮您检索并整理厂方数据手册的具体内容。