BD6326ANUX-E2 产品概述

一、概述

BD6326ANUX-E2 为 ROHM（罗姆）出品的电机驱动器级别功率 MOSFET 器件，封装为 UFDFN-10-EP（标注为 VSON010X3030）。器件针对小型直流电机和驱动负载优化设计，内部包含逻辑级驱动的功率 MOSFET，便于与单片机或驱动逻辑直接接口。典型输出电流能力为 700 mA，工作温度范围 -25℃ 至 +95℃，适合消费电子、办公设备及小型机电系统等应用。

二、主要特点

• 输出电流：700 mA（连续等级，具体能力请参考厂方曲线与热设计）
• 工作温度：-25℃ ~ +95℃，适用于一般工业与民用环境
• 封装：UFDFN-10-EP（带裸露散热垫），对 PCB 热设计友好
• 逻辑驱动：输入端为逻辑电平兼容，便于与 MCU/FPGA 直接连接
• 低封装电感与较低 RDS(on)（典型优势，具体数值以 datasheet 为准）

三、应用场景

• 小型直流电机驱动（风扇、微型泵、玩具电机）
• 打印机、扫描仪中的步进/直流电机控制前端
• 家电与白色家电中的驱动模块（小功率执行器、摇臂）
• 便携设备及机器人机构的小功率执行部件

四、设计要点与 PCB 布局建议

• 裸露散热垫（EP）必须与顶层或内层大面积铜箔焊接并通过过孔接到底层散热层，以保证热阻最低化并稳定 700 mA 的连续工作。
• 电源端与负载端应靠近器件焊盘，输入电源端配置合适的去耦电容（低 ESR）以抑制瞬态。
• 信号线应避免与大电流回路并行走线，减小噪声耦合；必要时在驱动输入端加 RC 滤波或下拉/上拉电阻以保证稳定逻辑状态。
• 焊接工艺参考 ROHM 建议，避免超出封装的回流温度曲线导致器件应力。

五、保护与可靠性考虑

• 系统级应考虑过流、短路与温度保护机制；器件内部可能含有保护电路（详见 datasheet），但外部保险丝或限流电路可提高可靠性。
• 长期工作于高温区域会影响 MOSFET 的 RDS(on) 与寿命，建议在热设计与散热措施到位后进行长期老化与功耗验证。
• ESD 与浪涌保护：输入输出端应配合 TVS 或滤波网络，尤其在电机感性负载存在反向瞬态时。

六、选型与验证建议

• 在最终选型前，参考 ROHM 官方 datasheet 获取 RDS(on)、最大电压等级、开启延时与热特性曲线。
• 进行实际负载下的温升、效率与工作周期验证；如果系统存在频繁启动、堵转或高占空比工作，应留有余量或选用更高电流等级器件。
• 采购时注意封装与环境等级（管脚排列、回流工艺兼容性）以便在生产中保证一致性。

结论：BD6326ANUX-E2 以其逻辑兼容驱动、UFDFN-10-EP 散热优势和 700 mA 的输出能力，适合用于小功率电机与驱动应用。为保证长期稳定性，务必重视 PCB 热设计、去耦与系统级保护，并以 ROHM 官方资料为准进行最终验证与设计。