型号:

LDTB123YLT1G

品牌:LRC(乐山无线电)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:-
重量:-
其他:
-
LDTB123YLT1G 产品实物图片
LDTB123YLT1G 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个PNP-预偏置
库存数量
库存:
2120
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.107
3000+
0.0851
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)500mA
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)56@50mA,5V
最小输入电压(VI(on))2V
最大输入电压(VI(off))300mV
输出电压(VO(on))300mV
输入电阻2.2kΩ
电阻比率4.5

LDTB123YLT1G 产品概述

一、产品简介

LDTB123YLT1G 是乐山无线电(LRC)推出的一款预偏置数字晶体管(PNP),以小型 SOT-23 封装提供高可靠性、高集成度的开关功能。器件集成了基极限流/分压电阻,便于与 MCU 或逻辑电平直接接口,用于小功率高侧开关、信号整形及驱动应用。

二、主要特性

  • 集-发射击穿电压 Vceo:50 V,适合中低压系统。
  • 最大集电极电流 Ic:500 mA,适用于中小电流负载驱动(应关注热耗散)。
  • 最大耗散功率 Pd:200 mW(封装与电路热设计需考虑功率打折和散热)。
  • 直流电流增益 hFE:56(测试条件 Ic = 50 mA,VCE = 5 V),增益稳定,便于放大与开关。
  • 输入门槛:VI(on) = 2 V(典型导通触发电压),VI(off) 最大 300 mV(断态输入上限)。
  • 输出饱和电压 VO(on):约 300 mV(低压降,开关损耗小)。
  • 内部输入电阻:2.2 kΩ,电阻比率 4.5(预偏置网络值,有利于简化外围元件)。

三、电气性能要点

  • 预偏置(内置基极电阻)降低了外部限流元件需求,可直接与 MCU GPIO 或逻辑门连接,但需注意极性与电平匹配(PNP 器件多用于高侧开关场合)。
  • 在 Ic 较大时(接近 500 mA),器件热耗散受限于 Pd=200 mW,应避免长期在高功耗点工作,并通过 PCB 铜箔、散热过孔等手段改善散热。
  • hFE 在中小电流范围内保持良好线性,适合驱动 LED、继电器线圈(小型)、小电机控制或作为逻辑电平转换元件使用。

四、典型应用场景

  • MCU 高侧驱动与电源选择开关。
  • 指示灯(LED)驱动与电平隔离。
  • 小型继电器、蜂鸣器或执行元件的驱动(需参考热限)。
  • 信号切换、拉高/拉低保护与接口缓冲。

五、封装与热管理

  • 封装:SOT-23,三引脚(基极、集电极、发射极)。具体引脚排列请参照正式数据手册确认。
  • 热管理建议:在印制电路板上增加焊盘铜面积、使用热过孔连接内部地/电源层,避免在高环境温度下持续大电流工作,并按实际应用对 Pd 进行降额设计。

六、使用建议与注意事项

  • 由于为 PNP 预偏置结构,连接时注意极性与控制电平相对于发射极的电压范围,确保 VI(on)/VI(off) 在正确参考电位下判断。
  • 负载电流接近或超过额定值时需进行热仿真与实际测量,防止因过热导致器件失效。
  • 在关键应用或高可靠性场合,建议参考 LRC 官方数据手册获取完整的电气特性曲线、引脚图与典型应用电路。

如需封装图、引脚排列或完整电气特性表,请提供确认,我可进一步检索并整理完整数据手册要点。