型号:

IDP40E65D2XKSA1

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-220-2
批次:25+
包装:管装
重量:-
其他:
-
IDP40E65D2XKSA1 产品实物图片
IDP40E65D2XKSA1 一小时发货
描述:Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; tube;
库存数量
库存:
450
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.96
500+
4.75
产品参数
属性参数值
二极管类型标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)650V
电流 - 平均整流 (Io)40A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)2.3V @ 40A
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)75ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏40µA @ 650V
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-2
供应商器件封装TO-220-2
工作温度 - 结-40°C ~ 175°C

IDP40E65D2XKSA1 产品概述

一、主要特性

IDP40E65D2XKSA1 是英飞凌推出的标准整流二极管,针对中高压、大电流整流场合设计。主要电气参数包括:最大反向电压 Vr = 650 V;平均整流电流 Io = 40 A;正向压降 Vf = 2.3 V(在 If = 40 A 时);反向泄漏电流典型值 40 µA(在 Vr = 650 V 时);反向恢复时间 trr = 75 ns,快速恢复特性 ≤ 500 ns(在 >200 mA 条件下)。器件为通孔安装,封装为 TO-220-2,管装(tube)供货,结温工作范围 -40 °C 到 175 °C。

二、电气性能与实际考量

该器件属于快速恢复整流二极管,trr = 75 ns 表明在开关变换过程中具有较好的回收特性,适合开关频率较高的电源与整流电路。正向压降 Vf = 2.3 V 在大电流工作时会带来显著的功耗——例如在 40 A 连续工况下单只器件的瞬时功耗约为 92 W,因此实际系统中需充分考虑散热与并联/分流设计。反向泄漏 40 µA 在高压阻断状态下属于可接受范围,但在高温或高阻抗检测电路中需注意泄漏带来的影响。

三、封装与热管理

TO-220-2 通孔封装便于安装外部散热器或机壳直接接触导热片,利于热阻管理。由于器件在高电流工况下会产生大量热量,推荐在设计时采用合适的金属散热器并考虑热阻匹配与热接触界面材料(绝缘垫圈或绝缘垫片视系统需求而定)。结温允许上限 175 °C,设计时应进行结至壳、结至环境的热仿真与裕度计算,确保长期可靠性。

四、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)和整流输出级
  • 功率因数校正(PFC)整流链路
  • 逆变器、驱动器与电机控制中的自由轮二极管或回流保护
  • 工业整流器、UPS、充电设备与其他中高压大电流整流场合

五、使用建议与注意事项

  • 在高频开关环境下,反向恢复过程会引起电流尖峰与电磁干扰(EMI),建议与适当的 RC 抑制网络或缓冲网络配合使用,必要时采用斜坡限流或有源回收手段。
  • 大电流工作时需对 Vf 导致的功耗进行精确估算,并据此选择散热方案或并联器件以降低单只器件应力;并联时注意电流分配与均流措施。
  • 在高压阻断和高温下,反向泄漏会增加,应在高阻抗检测回路或待机漏电要求严格的应用中评估影响。
  • 通孔安装时注意机械固定与螺丝扭矩,保证良好散热接触并避免应力集中。

六、总结

IDP40E65D2XKSA1 提供了 650 V 阻断能力与 40 A 的整流电流级别,结合快速恢复特性,适合多种中高压电力电子应用。设计时应重点关注正向压降带来的热耗、反向恢复导致的开关影响以及合适的散热和并联策略,以确保系统稳定与长期可靠。