WPM2087-3/TR 产品概述

一、产品简介

WPM2087-3/TR 是 WILLSEMI（韦尔）推出的一款单个 P 沟道场效应管（P‑MOSFET），采用 SOT‑23 小封装，适用于低电压电源管理与高侧开关场合。器件的额定漏源电压为 20V，连续漏极电流 3.6A，结合低导通电阻与较小体积，适合便携设备、移动电源与电路保护等对面积和成本敏感的应用。

二、主要电气参数亮点

• 漏源电压 (Vdss)：20V，满足常见 12V 及更低电压系统的高侧开关需求。
• 连续漏极电流 (Id)：3.6A（器件级别），适于中小电流负载驱动。
• 导通电阻 (RDS(on))：34mΩ @ VGS=4.5V（测试电流 5A 条件下），在门极驱动接近 4.5V 时损耗低、效率高。
• 阈值电压 (VGS(th))：约 0.75V（绝对值），P 沟道器件需施加负向栅源电压以导通，表明其具备良好的逻辑电平特性。
• 总门极电荷 (Qg)：12nC @ 4.5V，门极驱动功率中等，适合一般 MCU 或专用驱动器直接驱动。
• 输入电容 (Ciss)：1.182nF @ 10V；反向传输电容 (Crss)：108pF @ 10V，影响开关速度与开关损耗，需在高速切换设计中考虑 Miller 效应。
• 功耗耐受 (Pd)：900mW（SOT‑23 封装限制），实际允许的持续电流受 PCB 散热与环境温度影响较大。
• 工作结温：-55℃ ~ +150℃（Tj），适合工业级温度范围。

三、封装与热管理

SOT‑23 小体积封装带来系统集成度高与成本低的优点，但热阻较大，标称 900mW 的耗散能力在室温、无额外散热条件下为上限。建议在 PCB 设计时采用加宽铜箔、增加散热铜面或过孔热通道以降低结‑到‑环境的热阻，保证在 3.6A 等较高负载下器件可靠工作。

四、典型应用场景

• 低压高侧开关与负载断开（手机、平板、便携仪器电源管理）
• 电池电源路径选择与反向保护（电源切换、充电管理）
• 低功耗系统的电源开/关控制与负载隔离
• 功率受限的 DC‑DC 前端开关或同步整流辅助元件（需评估开关频率与损耗）

五、使用建议与注意事项

• 门极驱动：为达到 34mΩ 的低 RDS(on)，推荐 VGS 驱动接近 4.5V（对 P 沟道为相应负向门压），在 MCU 直接驱动时注意电平匹配与反向保护。
• 开关速度与驱动器匹配：Qg=12nC 和 Ciss≈1.2nF，若用于中高频开关，应配合合适的驱动器或串联门阻，以平衡开关损耗和电磁干扰。
• 布板要点：缩短漏/源/栅引线，增加散热铜箔与过孔；在栅极加上 10Ω 左右的串联电阻并并联 100kΩ 级的上拉/下拉防止误触发。
• 热限与持续电流：SOT‑23 封装在高环境温度或密集布局下热能力受限，应依据实际 PCB 散热条件重新评估允许的持续电流，而非仅参考器件等级 Id。
• 保护电路：如有电感性负载，需考虑器件的反向导通与钳位策略，避免因尖峰电压引发可靠性问题。

六、可靠性与选型提示

WILLSEMI（韦尔）品牌提供的 WPM2087‑3/TR 针对体积受限且需可靠开关控制的场合具有良好性价比。选型时应综合考虑最大工作电压余量、实际负载电流、散热条件与开关频率。对于要求更高连续功率或更低导通损耗的应用，可考虑更大封装或低 RDS(on) 的替代型号；而在空间与成本受限且电流中等的方案中，WPM2087‑3/TR 是一个平衡的选择。