SBDB30100CT 产品概述

一、主要参数

• 型号：SBDB30100CT（肖特基二极管）
• 品牌：CJ（江苏长电/长晶）
• 封装：TO-263-2L（D2PAK 风格）
• 额定反向耐压 Vr：100 V
• 直流正向电流 If(AV)：30 A
• 正向压降 Vf：0.85 V @ 15 A（典型/测量条件）
• 反向漏电流 Ir：100 μA @ 100 V
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：200 A（一次性浪涌能力）

二、产品特性

SBDB30100CT 为高电流、低正向压降的肖特基整流二极管，适用于需要高效整流、低损耗和较高开关频率的电源系统。主要特性包括：

• 低 Vf 降低导通损耗，提升系统效率，尤其在中高电流工况下效果明显。
• 肖特基结构保证快速恢复特性，减少开关损耗与 EMI。
• 较高的 Ifsm 能力，可承受开机浪涌或短时间过载脉冲。
• 小的反向漏电流在高压偏置下保持较低静态损耗。

三、热设计与布板建议

• TO-263-2L 为大功率表面贴装封装，但在30 A 级别工作时需做好散热设计。建议在 PCB 上使用大面积铜箔热垫并尽量扩展至底层，多通孔穿通热区以增加散热通路；2 oz（或更厚）铜箔可显著降低结─焊盘热阻。
• 尽量减少封装结温，必要时配合金属散热片或在 PCB 下方增加散热层。
• 在高脉冲工况下，注意 Ifsm 限制，避免重复超过规格的浪涌。
• 焊接采用标准无铅回流工艺，焊接曲线建议参考封装/厂商推荐，保证可靠焊点和良好热传导。

四、典型应用场景

• 开关电源的输入整流、同步整流阻替代元件。
• DC-DC 转换器的自由轮回二极管（freewheeling diode）。
• 车载电源、充电器、服务器、电机驱动等需要高电流、低压降整流的场合。
• 逆接保护与电源 OR-ing 电路（注意 Ir 对待机漏电影响）。

五、可靠性与使用注意

• 在长期高温、高电流工况下，需要预留足够的散热裕度并进行电流降额。
• 反向电压接近 Vr 时，反向漏电流将增加，长期高压偏置会加速老化。
• 如在高频开关环境中使用，请做好 EMI 抑制与滤波设计，避免尖峰电压超过器件电压应力。
• 储存与焊接按一般半导体器件防潮、防静电要求处理，避免湿气导致焊接问题。

六、订购与识别

标准订购信息样式可注明：CJ SBDB30100CT — 肖特基二极管，100 V / 30 A，TO-263-2L。实际采购时请确认完整器件编码、批次与出货测试报告，并与供应商确认是否需要额外的技术资料（如结─壳热阻、典型 V–I 曲线和脉冲功耗数据）。